Перегляд за автором "Щербань, А.П."

Результати 1-19 з 19

Влияние очистки инертной газовой среды на концентрацию Мо и W в алюмоиттриевом гранате

Ковтун, Г.П.; Щербань, А.П.; Горбенко, Ю.В.; Пилипенко, Н.Н.; Катрич, Н.П. (Вопросы атомной науки и техники, 2006)

Экспериментально и теоретически исследовано влияние очистки газовой среды в кристаллизационной камере на концентрацию молибдена и вольфрама в алюмоиттриевом гранате. Показано, что очистка аргона при непрерывной его циркуляции ...
Влияние условий направленной кристаллизации на глубокую очистку металлов

Ковтун, Г.П.; Щербань, А.П.; Кондрик, А.И. (Вопросы атомной науки и техники, 2007)

Методом компьютерного моделирования выполнено исследование влияния условий направленной кристаллизации на перераспределение примесей при их низком содержании в расплаве. В основу расчетов взята теория концентрационного ...
Исследование процесса получения высокочистого цинка как составляющего элемента детекторов ионизирующих излучений

Ковтун, Г.П.; Щербань, А.П.; Солопихин, Д.А.; Свинаренко, А.П.; Вирич, В.Д.; Кисиль, Е.П.; Филиппович, Л.И. (Вопросы атомной науки и техники, 2008)

Представлены исследования процесса дистилляции цинка в вакууме с применением геттерных фильтров. Сформулированы требования к геттерным материалам для очистки Zn, в частности, от газовых примесей и углерода (примесей ...
Методика определения содержания галлия в сплаве на основе кремния

Пироженко, Л.А.; Ковтун, Г.П.; Рыжова, Т.П.; Щербань, А.П. (Вопросы атомной науки и техники, 2006)

Уточнены условия фотометрического метода определения Ga с ксиленоловым оранжевым в слабокислой среде. Подобраны условия определения Ga в сплаве с кремнием в присутствии небольших количеств фторидов. Разработан точный ...
Определение предельных коэффициентов распределения примесей k0 limB в кадмии и цинке

Ковтун, Г.П.; Щербань, А.П.; Даценко, О.А. (Вопросы атомной науки и техники, 2002)

Представлены результаты расчетов предельных коэффициентов распределения k0 limB отдельных примесей в кадмии и цинке методом математического анализа кривых солидуса и ликвидуса диаграмм состояния и графической экстраполяции ...
Особенности рафинирования алюмотермического хрома

Ажажа, В.М.; Вирич, В.Д.; Ковтун, Г.П.; Свинаренко, А.П.; Шулаев, В.М.; Щербань, А.П. (Вопросы атомной науки и техники, 2006)

Экспериментально исследовано рафинирование алюмотермического хрома марки Х98.5 способом высокотемпературного отжига в высоком вакууме. Показано, что при температуре отжига 1150 °С в течение 1… 6 ч в хроме существенно ...
Оценка предельной растворимости малорастворимых компонентов при эвтектических превращениях в бинарных металлических системах

Щербань, А.П.; Ковтун, Г.П. (Вопросы атомной науки и техники, 2014)

Разработан расчетный метод для оценки предельной растворимости малорастворимых компонентов при эвтектических превращениях в бинарных металлических системах. Предложенный подход включает следующие этапы исследования: ...
Пассивация поверхности высокочистых гранулированных металлов: цинка, кадмия, свинца

Пироженко, Л.А.; Пояркова, С.С.; Щербань, А.П.; Горбенко, Ю.В.; Рыбка, А.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2017)

Разработаны новые составы и режимы для химического травления и пассивации поверхности высокочистых гранул Zn, Cd и Pb с использованием неводных растворов электролитов. Это позволило получить гранулы металлов с тонкими ...
Получение высокочистых галлия, цинка, кадмия и теллура для микроэлектроники

Ковтун, Г.П.; Кравченко, А.И.; Щербань, А.П. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001)

Изложены результаты исследований глубокого рафинирования галлия, цинка, кадмия и теллура дистилляционным методом, включая отгонку легколетучих примесей, перегонку и фильтрацию основного металла, с использованием простых ...
Получение высокочистых гранулированных металлов: кадмия, цинка, свинца

Щербань, А.П.; Ковтун, Г.П.; Горбенко, Ю.В.; Солопихин, Д.А.; Вирич, В.Д.; Пироженко, Л.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2017)

Предложены комплексные процессы глубокого рафинирования кадмия, цинка и свинца дистилляцией в вакууме. Разработано устройство для получения гранул. Исследован процесс гранулирования высокочистых металлов. Чистота получаемых ...
Получение высокочистых металлов для производства низкофоновых сцинтилляционных детекторов

Щербань, А.П. (Вопросы атомной науки и техники, 2011)

Представлены результаты исследований по разработке эффективных процессов глубокого рафинирования металлов (Cd, Zn, Te,¹⁰⁶Cd, ¹¹⁶Cd и археологического свинца архPb) для производства низкофоновых сцинтилляторов, предназначенных ...
Получение галлиевой лигатуры на основе сплава с кремнием

Ковтун, Г.П.; Щербань, А.П.; Горбенко, Ю.В.; Пироженко, Л.А.; Зеленская, В.И.; Берингов, С.Б.; Власенко, Т.В.; Шульга, Ю.Г. (Вопросы атомной науки и техники, 2004)

Проведен анализ особенностей системы Si–Ga в области низкого содержания галлия. Описаны методы легирования кремния галлием. Предложен способ получения галлиевой лигатуры на основе сплава с кремнием, используемой при ...
Расчет линий солидуса бинарных эвтектических систем с низкой растворимостью компонентов

Щербань, А.П.; Даценко, О.А. (Вопросы атомной науки и техники, 2016)

Предложен алгоритм расчета предельной растворимости и построения линий солидуса бинарных эвтектических систем с низкой растворимостью примесей в твердом состоянии на участке от нулевой концентрации второго компонента до ...
Расчетный метод определения предельных коэффициентов распределения примесей k0limB при направленной кристаллизации металлов

Ковтун, Г.П.; Щербань, А.П.; Даценко, О.А. (Вопросы атомной науки и техники, 2003)

Предложен упрощенный расчетный метод определения предельных коэффициентов распределения примесей k0limB в металлах, с неустановленной или низкой растворимостью их в твердом состоянии, заключающийся в сочетании математического ...
Рафинирование Cd и Zn от примесей внедрения при дистилляции с геттерным фильтром ZrFe

Кондрик, А.И.; Солопихин, Д.А.; Щербань, А.П. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2013)

Проведен анализ поведения примесей внедрения в Cd и Zn с точки зрения термодинамики. Рассмотрены восстановительные реакции оксидов кадмия, цинка и углерода, а также нитрида цинка с материалом геттера из сплава Zr—Fe в ...
Рафинирование рутения методом электронно-лучевой плавки

Бобров, Ю.П.; Вирич, В.Д.; Дмитренко, А.Е.; Коблик, Д.В.; Ковтун, Г.П.; Манжос, В.В.; Пилипенко, Н.Н.; Танцюра, И.Г.; Щербань, А.П. (Вопросы атомной науки и техники, 2011)

Приведены результаты расчетных и экспериментальных исследований процесса рафинирования порошкообразного рутения методом электронно-лучевой плавки (ЭЛП). Показано, что ЭЛП является эффективным методом очистки рутения от ...
Ростовое оборудование для производства полуизолирующего GaAs методом Чохральского

Ковтун, Г.П.; Щербань, А.П. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2006)

Рассмотрены современные достижения в создании ростового оборудования для производства ПИ-GaAs методом ЖГЧ. Приведены сравнительные характеристики и анализ установок нового и предшествующего поколений.
Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского

Ковтун, Г.П.; Кравченко, А.И.; Кондрик, А.И.; Щербань, А.П. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2004)

Лучшие результаты достигаются при боковом варианте нагрева тигля, выбором мощности дополнительного нагревателя, а также применением теплового экранирования кристалла и флюса.
Установка для выращивания малодислокационных монокристаллов GaAs большого диаметра

Ковтун, Г.П.; Кравченко, А.И.; Щербань, А.П. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001)

Изложены особенности разработанной установки для выращивания монокристаллов GaAs диаметром 80—100 мм под слоем флюса в условиях низкого температурного градиента. Монокристаллы GaAs характеризуются низкой плотностью дислокаций ...

Результати 1-19 з 19

Пошук

Розширений пошук

Перегляд

Вся бібліотека

Перегляд за автором "Щербань, А.П."

Репозиторій DSpace/Manakin

Перегляд за автором "Щербань, А.П."

Пошук

Перегляд

Вся бібліотека

Мій обліковий запис