Получение галлиевой лигатуры на основе сплава с кремнием

Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення ядерної фізики та енергетики
→
Вопросы атомной науки и техники
→
Bопросы атомной науки и техники, 2004
→
Вопросы атомной науки и техники, 2004, № 6
→
Переглянути статтю

Получение галлиевой лигатуры на основе сплава с кремнием

Ковтун, Г.П. ; Щербань, А.П. ; Горбенко, Ю.В. ; Пироженко, Л.А. ; Зеленская, В.И. ; Берингов, С.Б. ; Власенко, Т.В. ; Шульга, Ю.Г.

Інші назви: Одержання галієвої лігатури на основі сплаву з кремнієм
Obtaining of the gallium rich alloy on the base of silicon

Тема: Чистые материалы и вакуумные технологии

УДК: 669.782

URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/81253

Посилання: Получение галлиевой лигатуры на основе сплава с кремнием / Г.П. Ковтун, А.П. Щербань, Ю.В. Горбенко, Л.А. Пироженко, В.И. Зеленская, С.Б. Берингов, Т.В. Власенко, Ю.Г. Шульга // Вопросы атомной науки и техники. — 2004. — № 6. — С. 30-33. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.

Підтримка: Авторы выражают искреннюю благодарность Виричу В.Д. и Рыжовой Т.П. за проведение массспектрального анализа образцов сплавов кремния с галлием.

Дата: 2004

Завантажень: 796

Получение галлиевой лигатуры на основе сплава с кремнием

Анотація:

Проведен анализ особенностей системы Si–Ga в области низкого содержания галлия. Описаны методы легирования кремния галлием. Предложен способ получения галлиевой лигатуры на основе сплава с кремнием, используемой при получении монокристаллов кремния с заданными электрофизическими параметрами (ЭФП) для изделий солнечной энергетики.

Проведено аналіз особливостей системи Si - Ga в області низького вмісту галію. Описані методи легування кремнію галієм. Запропоновано спосіб одержання галієвої лігатури на основі сплаву з кремнієм, використовуваної при одержанні монокристалів кремнію з заданими електрофізичними параметрами (ЕФП) для виробів сонячної енергетики.

The analysis of features of system Si - Ga is carried out in the field of the low contents of a gallium. The methods of an alloying of silicon by a gallium are described. The method of obtaining of a gallium rich alloy on a base of silicon alloy, used at obtaining of silicon single crystals with the given electrophysical properties (EPP) for goods of solar power engineering.

Показати повний запис статті