Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского

Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского

Ковтун, Г.П. ; Кравченко, А.И. ; Кондрик, А.И. ; Щербань, А.П.

Інші назви: Технологічні способи поліпшення теплового режиму вирощування кристалів GaAs за методом Чохральського
The processes to improve the thermal mode of GaAs crystal growth by Czohralski method

Тема: Материалы для микроэлектроники

URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/56290

Посилання: Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского / Г.П. Ковтун, А.И. Кравченко, А.И. Кондрик, А.П. Щербань // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2004. — № 6. — С. 3-6. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.

Дата: 2004

Завантажень: 397

Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского

Анотація:

Лучшие результаты достигаются при боковом варианте нагрева тигля, выбором мощности дополнительного нагревателя, а также применением теплового экранирования кристалла и флюса.

Показати повний запис статті