Сделан вывод о необходимости разработки безрекуррентных процедур декодирования, что возможно с использованием ганкелевых (теплицевых) матриц при вычислении синдромов ошибок.

Исследования гетероструктур p-n-InSe и окисел-p-InSe после облучения в дозах 10-300 Р показали, что InSe-диоды отвечают требованиям радиационной стойкости.

Определены параметры кремниевых диффузионных резисторов, необходимые для расчета их конструктивных и эксплуатационных характеристик. Предложена физическая модель, описывающая закономерности, происходящие в резисторах.

Разработаны новые типы пьезокерамических датчиков линейных и вибрационных ускорений, вязкости, звукового давления, электроакустики и др.

Результаты могут быть использованы для оценки частотного диапазона, зависимости фоточувствительности от поля, выявления механизмов фоточувствительности двухбарьерных структур с металлополупроводниковыми переходами.

Применение многослойной гальванопластики с разборными матрицами в сочетании с элементами гальванопластического монтажа повышает надежность и технологичность СВЧ-устройств при снижении стоимости изделий.

Проведен анализ и перечислены проблемы, решение которых будет способствовать созданию промышленной, бытовой и специальной техники, которая отвечена бы мировому уровню.

Рассмотрен вопрос применения технологии объемного нагрева сорбента в электромагнитном поле высокой частоты и предложена установка для промышленной регенерации сорбентов.