Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Влияние гамма-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-гетероструктур
Репозиторій DSpace/Manakin
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Влияние гамма-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-гетероструктур
Інші назви:
Вплив γ-опромінення на фотоелектричні параметри InSe-гетероструктур
Influence of γ-radiation on electrical parameters InSe-heterostructures
Influence of γ-radiation on electrical parameters InSe-heterostructures
Тема:
Технологические процессы и оборудование
Посилання:
Влияние гамма-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-гетероструктур / З.Д. Ковалюк, В.Н. Катеринчук, О.А. Политанская, О.Н. Сидор // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 5. — С. 47-48. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.
Дата:
2005
Переглядів:
847
Завантажень:
498
Анотація:
Исследования гетероструктур p-n-InSe и окисел-p-InSe после облучения в дозах 10-300 Р показали, что InSe-диоды отвечают требованиям радиационной стойкости.
