Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Specificity of high-pure monocrystalline silicon production for various registering and converting devices
Репозиторій DSpace/Manakin
- Домашня сторінка
- →
- Фізико-технічні та математичні науки
- →
- Відділення фізики і астрономії
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2000, том 3
- →
- Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2000, № 2
- →
- Переглянути статтю
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Specificity of high-pure monocrystalline silicon production for various registering and converting devices
Інший ID:
PACS: 81.05.C, D, E, G, H, 72.80.C, 73.61.C
Посилання:
Specificity of high-pure monocrystalline silicon production for various registering and converting devices / Yu.V. Trubitsyn, S.V. Zverev // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2000. — Т. 3, № 2. — С. 195-199. — Бібліогр.: 6 назв. — англ.
Дата:
2000
Переглядів:
642
Завантажень:
376
Анотація:
In this paper, recent results of studies focused on detector-grade silicon monocrystals production are summarized and systematized. Described are the manufacturing technology of silicon rod with a diameter up to 105 mm and dislocation-free monocrystals used for fabrication of large area detectors, p-type conductivity crystals with resistivity more than 1000 Ohm·cm being prepared by the method of neutron-transmutation doping.
