Investigation of superlattice structure parameters using quasi-forbidden reflections

Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення фізики і астрономії
→
Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
→
Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2003, том 6
→
Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2003, № 3
→
Переглянути статтю

Investigation of superlattice structure parameters using quasi-forbidden reflections

Kladko, V.P. ; Datsenko, L.I. ; Korchovyi, A.A. ; Machulin, V.F. ; Lytvyn, P.M. ; Shalimov, A.V. ; Kuchuk, A.V. ; Kogutyuk, P.P.

Інший ID: PACS: 68.65.Cd

URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118048

Посилання: Investigation of superlattice structure parameters using quasi-forbidden reflections / V.P. Kladko, L.I. Datsenko, A.A. Korchovyi, V.F. Machulin, P.M. Lytvyn, A.V. Shalimov, A.V. Kuchuk, P.P. Kogutyuk // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2003. — Т. 6, № 3. — С. 392-396. — Бібліогр.: 7 назв. — англ.

Дата: 2003

Завантажень: 481

Investigation of superlattice structure parameters using quasi-forbidden reflections

Анотація:

We studied possibilities of a nondestructive X-ray technique for testing short-period strained GaAs-AlAs superlattices. An analysis of the quasi-forbidden 200 reflections may be used for determination of superlattice layer structure parameters and sublayer thickness. The effect of irregularity of superlattice transition region on X-ray diffraction reflection curves and elastic strains in layers was studied.

Показати повний запис статті