Исследование электрических и фотоэлектрических свойств In-CdSxTe1-x-Si-In структуры

Abstract

Изготовлено гетеропереходы n/Si-n/CdSx Te1-x методом вакуумного напыления пленки твердого раствора CdSx Te1-x на поверхность монокристаллического n/Si. Исследованы основные электрические и фотоэлектрические свойства гетеропереходов. Определены значения постоянной кристаллической решетки твердого раствора CdSx Te1-x на границе гетероструктуры n/Si-n/CdSx Te1-x.

Виготовлено гетеропереходи n/Sі-n/CdSx Te1-x методом вакуумного напилювання плівки твердого розчину CdSx Te1-x на поверхню монокристалічного n/Sі. Досліджено основні електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів. Визначено значення постійних кристалічних ґраток твердого розчину CdSx Te1-x на границі гетероструктури n/Si-n/CdSx Te1-x.

It is made heterojunction n/Si-n/CdSx Te1-x by a method of a vacuum dusting of a film of firm solution CdSx Te1-x on a surface monocrystalline n/Si. The basic electric and photo-electric properties of heterojunction are investigated. Values of a constant crystal lattice of firm solution CdSx Te1-x on heterostructure border n/Si-n/ CdSx Te1-x are defined.