ЗМІСТ

Титульная страница и содержание

Долгов А.С., Валуйская А.В.
Миграция взаимодействующих атомов в поверхностном монослое

Зубко Є.І.
Функціоналізація і наноструктурування поверхневих шарів поруватого кремнію

Каверин М.В., Krause-Rehberg R., Береснев В.М., Постольный Б.А., Колесников Д.А., Якущенко И.В., Билокур М.А., Жоллыбеков Б.Р.
Влияние дефектов и примесных атомов на физико-механические свойства наноструктурных покрытий в области границ их раздела

Кудринський З.Р.
Топологія поверхні тонких оксидних плівок CdO, сформованих на ван-дер-ваальсових поверхнях шаруватих кристалів InSe ТА GaSe

Дадамирзаев М.Г.
Разогрев электронов и дырок в несимметричном p-n-переходе, находящемся в СВЧ поле

Гулямов Г., Шарибаев Н.Ю., Эркабоев У.И.
Влияние эффективной массы плотности состояний на температурную зависимость ширины запрещенной зоны в твердых растворах p-Bi_2-xSb_xTe_3-ySe_y

Ёдгорова Д.М., Каримов А.В., Каримов А.А.
Исследование процессов модуляции базовой области кремниевой p₊р-n₊-структуры

Береснев В.М., Турбин П.В., Грудницкий В.В., Торяник И.Н., Дмитренко А.Е., Кропотов А.Ю., Гриценко В.И., Маликов Л.В., Гранкин С.С.
Применение многокомпонентных катодов, полученных электронно-лучевым плавлением, для формирования сверхтвердых

Олимов Л.О., Муйдинова М., Омонбоев Ф.Л.
Электрические свойства межзеренных границ в объеме поликристаллического кремния

Мирсагатов Ш.А., Ачилов А.С., Заверюхин Б.Н.
Тонкопленочные детекторные CdTe-структуры с барьером Шоттки

Сапаев И.Б.
Исследование электрических и фотоэлектрических свойств In-CdS_xTe_1-x-Si-In структуры

Шарибаев Н.Ю.
Исследования температурной зависимости ширины запрещенной зоны Si и Ge с помощью модели

Пилипенко Н.Н., Дробышевская А.А., Ажажа Р.В., Стадник Ю.С., Танцюра И.Г.
Термооксидные покрытия на циркониевых материалах

Яремій І.П., Томин У.О., Уманців М.М., Кравець В.І.
Вплив імплантації іонами гелію на форму елементарної комірки у приповерхневих шарах монокристалів ҐҐҐ

Гулямов Г., Гулямов A.Г., Мажидова Г.Н.
Тензорезистивный эффект в системе потенциальных барьеров в полупроводниковых пленках

*******
Правила оформления рукописей