http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/69660 2026-04-09T13:56:08Z 2026-04-09T13:56:08Z Гулямов, Г. Гулямов, A.Г. Мажидова, Г.Н. http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/99834 2016-05-05T00:02:12Z 2013-01-01T00:00:00Z

Тензорезистивный эффект в системе потенциальных барьеров в полупроводниковых пленках Гулямов, Г.; Гулямов, A.Г.; Мажидова, Г.Н. У роботі запропонована модель тензочутливої напівпровідникової плівки, відповідно до якої, плівка розглядається як система потенційних бар’єрів. Розглянута тензочутливість системи потенційних бар’єрів. Показано, що модель відповідно до якої при деформації міняється тільки ширина потенційного бар’єру може пояснити аномально більші значення коефіцієнта тензочутливості тонких плівок Bi₂Te₃ і Sb₂Te₃, отриманих вакуумним напилюванням.; В работе предложена модель тензочувствительной полупроводниковой пленки, согласно которой, пленка рассматривается как система потенциальных барьеров. Рассмотрена тензочувствительность системы потенциальных барьеров. Показано, что модель согласно которой при деформации меняется только ширина потенциального барьера может объяснить аномально большие значения коэффициента тензочувствительности тонких пленок Bi₂Te₃ и Sb₂Te₃, полученных вакуумным напылением; In the work proposed model of the tensosensitive semiconductor film according to which, the film is considered as system of potential barriers. It is considered tensosensitive systems of potential barriers. It is shown that the model according to which at deformation varies only width of a potential barrier can explain is abnormal great values of factor tensosensitive thin film Bi₂Te₃ and Sb₂Te₃, receptions by a vacuum dusting.

2013-01-01T00:00:00Z Яремій, І.П. Томин, У.О. Уманців, М.М. Кравець, В.І. http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/99833 2016-05-05T00:02:11Z 2013-01-01T00:00:00Z

Вплив імплантації іонами гелію на форму елементарної комірки у приповерхневих шарах монокристалів ҐҐҐ Яремій, І.П.; Томин, У.О.; Уманців, М.М.; Кравець, В.І. Досліджено трансформацію кристалічної ґратки в іонно-імплантованих шарах монокристалів ґалій-ґадолінієвого ґранату. Встановлено, що у площині пластин монокристалів ҐҐҐ при імплантації іонами Не⁺ деформація кристалічної ґратки в імплантованому шарі відбувається тільки у перпендикулярному до площини пластин напрямку, а елементарна комірка понижує свою симетрію з кубічної до ромбоедричної.; Исследовано трансформацию кристаллической решетки в ионно-имплантированных слоях монокристаллов галлий-гадолиниевого граната. Установлено, что в результате имплантации ионами Не⁺ деформация кристаллической решетки в имплантированном слое монокристаллов галлий-гадолиниевого граната происходит только в перпендикулярном к плоскости пластин направлении, а элементарная ячейка снижает свою симметрию с кубической к ромбоэдрической; The transformation of the crystal lattice in ion-implanted layers of gadolinium gallium garnet single crystals was investigated. It was determined that the deformation of the crystal lattice in the implanted layer as a result of implantation by He⁺ ions occurs only in the perpendicular to the plane of plates direction, and unit cell reduces its symmetry from cubic to rhombohedral.

2013-01-01T00:00:00Z Пилипенко, Н.Н. Дробышевская, А.А. Ажажа, Р.В. Стадник, Ю.С. Танцюра, И.Г. http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/99832 2016-05-05T00:02:08Z 2013-01-01T00:00:00Z

Термооксидные покрытия на циркониевых материалах Пилипенко, Н.Н.; Дробышевская, А.А.; Ажажа, Р.В.; Стадник, Ю.С.; Танцюра, И.Г. Приведены результаты исследований влияния температуры воздушно-термического оксидирования на процесс образования металлооксидной пленки на поверхности циркониевых материалов. Проанализированы изменения микроморфологии, структуры и свойств термооксидных покрытий на цирконии и сплаве Zr1%Nb при различных температурах обработки. Определена кинетика образования покрытий при 500 − 800 °С в течение времени до 10 ч.; Приведено результати досліджень впливу температури повітряно-термічного оксидування на процес утворення металооксидної плівки на поверхні цирконієвих матеріалів. Проаналізовано змінимікроморфології, структури та властивостей термооксидних покриттів на цирконії та сплаві Zr1%Nb при різних температурах обробки. Визначено кінетику утворення покриттів при 500 − 800 °С протягом часу до 10 г.; The results of the effect of air-thermal oxidation temperature on the metal oxide film formation on the surface of the zirconium material are given. The changes of the micromorphology, structure and properties of thermal oxide coatings on the zirconium and alloy Zr1%Nb at different temperatures treatment are analyzed. The kinetics of coatings formation at 500 − 800 °С for up to 10 h is defined.

2013-01-01T00:00:00Z Шарибаев, Н.Ю. http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/99831 2016-05-05T00:02:11Z 2013-01-01T00:00:00Z

Исследования температурной зависимости ширины запрещенной зоны Si и Ge с помощью модели Шарибаев, Н.Ю. С помощью модели разложения плотности состояния в ряд по GN(Ei, Et, T)-функциям производной вероятности ионизации дискретных состояний по энергии исследована температурная зависимость ширины запрещенной зоны для Si и Ge. Результаты численных экспериментов указывают на то, что ширина запрещенной зоны для Si и Ge, если в запрещенной зоне отсутствуют энергетические уровни, при низких температурах шире чем значения, полученные в эксперименте: Si – 0.018 эВ, Ge – 0.008 эВ.; За допомогою моделі розкладання щільності стану в ряд по GN(Ei, Et, T)-функціях похідної ймовірності іонізації дискретних станів за енергією досліджена температурна залежність ширини забороненої зони для Si і Ge. Результати числових експериментів вказують на те, що ширина забороненоїзони для Si і Ge, якщо у забороненій зоні відсутні енергетичні рівні, за низьких температур ширша ніж значення, отримані в експерименті: Si – 0.018 еВ, Ge – 0.008 еВ.; The model decomposition of the density of states in a series of GN(Ei, Et, T)-derivative functions of discrete states of the ionization energy The temperature dependence of the band gap of Si and Ge. Numerical results indicate that the band gap of Si and Ge in the ideal case, if the band gap energy levels available at low temperatures greater than the experimental results: Si – 0.018 eV, Ge– 0.008 еV.

2013-01-01T00:00:00Z