Для детекторов короткопробежных частиц созданы пленочные CdTe-детекторные структуры
с барьером Шоттки. Структуры изготовлены на основе крупноблочных p-CdTе пленок с удельным сопротивлением ρ ∼ 10⁷ Ом⋅cм. Кристаллиты пленок расположены ортогонально к плоскости Мо-подложки, на которой они сформированы. Исследованы вольт-фарадные, вольтамперные
и шумовые характеристики структур. Структуры регистрировали α-частицы с энергией 5.482
MэВ от источника Am²⁴¹. Энергетическое разрешение R-структур составляет величину 22 ÷
29 кэВ при напряжениях смещения V = 5 − 8 В и T = 293 K. При повышении величины V происходит инжекция неосновных носителей в базу структур. Установлено, что источником инжекции электронов в базу является Мо-контакт и соединение MoO₃ вблизи него.
Для детекторів короткопробіжних частинок створені плівкові CdTe-детекторні структури з бар’єром Шоттки. Структури виготовлені на основі великоблочних p-CdTе плівок з питомим
опором ρ ∼ 10⁷ Ом⋅cм. Кристаліити плівок розташовані ортогонально до площини Мо-підкладинки, на якій вони сформовані. Досліджені вольт-фарадні, вольтамперні та шумові характеристики
структур. Структури реєстрували α-частинки з енергією 5.482 MеВ від джерела Am²⁴¹. Енергетичний можливий розподіл R-структур становить величину 22 ÷ 29 кеВ при напругах зсуву
V = 5 − 8 В і T = 293 K. При підвищенні величини V відбувається інжекція неосновних носіїв у
базу структур. Установлено, що джерелом інжекції електронів у базу є Мо-контакт і з’єднання
MoO₃ поблизу нього.
At first for registration of nuclear radiation film CdTe-detector structures with Schottky barrier were
created. The structures are made on the basis of large block-p-CdTe films with resistivity ρ ∼ 10⁷
Om⋅cm. Crystallites of the films are orthogonal to plane of Mo-substrate on which they are formed. The
capacitance-voltage, current-voltage characteristics and an energy resolution of the structures were
measured and transport mechanisms of current carriers were defined for different values of bias voltage.
The structures registried α-particles with energy 5.482 MeV from source Am²⁴¹. Energy resolution
R of the structures was 22 ÷ 29 keV at T = 293 K. It is established that improving of the characteristics
of the detector structures associated with removal processes of an electron injection in
region of back Mo-contact. It was found that source of the electron injection аt high bias voltages are
Mo-contact and oxide MoO₃ between the film and the molybdenum contact.
