Сравнение дистилляционного и кристаллизационного рафинирования некоторых систем основа–примесь

Abstract

Установлен аналитический вид зависимости выхода g, при котором дистилляция и нормальная направленная кристаллизация двойной системы имеют одинаковую эффективность от коэффициентов распределения: g = α1/(k-1) при α < 1, k > 1 и g = k1/(α-1) при α > 1, k < 1 (α и k – коэффициенты межфазового распределения примеси при дистилляции и при кристаллизации соответственно). Вычислены значения g для ряда систем основа–примесь: Ge-Al, Тe-Se, Тe-Pb, Ge-Be, Ge-Si, Ge-Ga, Ge-As, Ge-B, Zn-Cd (< 0,1; ≈ 0,1; ≈ 0,5; ≈ 0,6; ≈ 0,7; ≈ 0,7; ≈ 0,8; ≈ 0,8 и ≈ 0,8 соответственно).

Установлено аналітичний вид залежності виходу g, при якому дистиляція i нормальна направлена кристалізація подвійної системи мають однакову ефективність від коефіцієнтів розподілу: g = α1/(k-1) при α < 1, k > 1 і g = k1/(α-1) при α > 1, k < 1 (α і k – коефiцiєнти міжфазового розподiлу домiшки при дистиляцiї та кристалізації відповідно). Розрахованi значення g для ряду систем основа–домiшка: Ge-Al, Тe-Se, Тe-Pb, Ge-Be, Ge-Si, Ge-Ga, Ge-As, Ge-B, Zn-Cd (< 0,1; ≈ 0,1; ≈ 0,5; ≈ 0,6; ≈ 0,7; ≈ 0,7; ≈ 0,8; ≈ 0,8 і ≈ 0,8 відповідно).

The analytic view of the yield g (when the efficiency of distillation and normal directional crystallization are equal) from coefficients of distribution have been ascertained: g = α1/(k-1) at α < 1, k > 1 and g = k1/(α-1) at α > 1, k < 1 (α and k are coefficients of distribution at distillation and crystallization correspondingly). The values of g for line of systems (Ge-Al, Тe-Se, Тe-Pb, Ge-Be, Ge-Si, Ge-Ga, Ge-As, Ge-B, Zn-Cd) have been calculated (< 0,1; ≈ 0,1; ≈ 0,5; ≈ 0,6; ≈ 0,7; ≈ 0,7; ≈ 0,8; ≈ 0,8 и ≈ 0,8 correspondingly).