Показати простий запис статті
dc.contributor.author |
Barchuk, S.V. |
|
dc.contributor.author |
Lapshin, V.I. |
|
dc.contributor.author |
Maslov, V.I. |
|
dc.contributor.author |
Onishchenko, I.N. |
|
dc.contributor.author |
Tretyakov, V.N. |
|
dc.date.accessioned |
2015-03-23T09:35:31Z |
|
dc.date.available |
2015-03-23T09:35:31Z |
|
dc.date.issued |
2002 |
|
dc.identifier.citation |
Electric barrier formation in kind of connected dip and hump of electric potential near ECR point / S.V. Barchuk, V.I. Lapshin, V.I. Maslov, I.N. Onishchenko, V.N. Tretyakov // Вопросы атомной науки и техники. — 2002. — № 5. — С. 98-100. — Бібліогр.: 1 назв. — англ. |
uk_UA |
dc.identifier.issn |
1562-6016 |
|
dc.identifier.other |
PACS: 52.25.-b |
|
dc.identifier.uri |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/78923 |
|
dc.description.abstract |
The self-consistent formation, observed in experiments, of the solitary barrier for plasma electrons and ions has been analytically described. |
uk_UA |
dc.language.iso |
en |
uk_UA |
dc.publisher |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
uk_UA |
dc.relation.ispartof |
Вопросы атомной науки и техники |
|
dc.subject |
Plasma electronics |
uk_UA |
dc.title |
Electric barrier formation in kind of connected dip and hump of electric potential near ECR point |
uk_UA |
dc.type |
Article |
uk_UA |
dc.status |
published earlier |
uk_UA |
Файли у цій статті
Ця стаття з'являється у наступних колекціях
Показати простий запис статті