Формирование TiNx покрытий конденсацией плазмы падением потенциала

Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення ядерної фізики та енергетики
→
Вопросы атомной науки и техники
→
Bопросы атомной науки и техники, 2000
→
Вопросы атомной науки и техники, 2000, № 4
→
Переглянути статтю

dc.contributor.author	Кунченко, В.В.
dc.contributor.author	Аксенов, И.И.
dc.date.accessioned	2015-03-12T20:11:21Z
dc.date.available	2015-03-12T20:11:21Z
dc.date.issued	2000
dc.identifier.citation	Формирование TiNx покрытий конденсацией плазмы падением потенциала / В.В. Кунченко, И.И. Аксенов // Вопросы атомной науки и техники. — 2000. — № 4. — С. 165-172. — Бібліогр.: 21 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	1562-6016
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/78214
dc.description.abstract	Приведены результаты исследований свойств покрытий, полученных осаждением Ti плазмы дугового разряда низкого давления в режиме положительного анодного падения потенциала в зависимости от давления активного газа (N₂ и N₂+C₂H₂) и ускоряющего отрицательного потенциала подложки. Часть экспериментов посвящена изучению роли добавки ацетилена в формировании свойств получаемых покрытий. Показана перспективность практического применения получаемых таким способом покрытий.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Вопросы атомной науки и техники
dc.subject	Физика радиационных и ионно-плазменных технологий	uk_UA
dc.title	Формирование TiNx покрытий конденсацией плазмы падением потенциала	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA
dc.identifier.udc	533.9