Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Формирование TiNx покрытий конденсацией плазмы падением потенциала
Репозиторій DSpace/Manakin
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Формирование TiNx покрытий конденсацией плазмы падением потенциала
Тема:
Физика радиационных и ионно-плазменных технологий
УДК:
533.9
Посилання:
Формирование TiNx покрытий конденсацией плазмы падением потенциала / В.В. Кунченко, И.И. Аксенов // Вопросы атомной науки и техники. — 2000. — № 4. — С. 165-172. — Бібліогр.: 21 назв. — рос.
Дата:
2000
Переглядів:
621
Завантажень:
430
Анотація:
Приведены результаты исследований свойств покрытий, полученных осаждением Ti плазмы дугового разряда низкого давления в режиме положительного анодного падения потенциала в зависимости от давления активного газа (N₂ и N₂+C₂H₂) и ускоряющего отрицательного потенциала подложки. Часть экспериментов посвящена изучению роли добавки ацетилена в формировании свойств получаемых покрытий. Показана перспективность практического применения получаемых таким способом покрытий.
