Рассохина, Ю.В.; Крыжановский, В.Г.; Коваленко, В.А.; Colantonio, P.; Giofre, R.
(Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2014)
Предложена и экспериментально проверена схема усилителя мощности инверсного класса F (F⁻¹) на основе GaN-транзистора NPTB00004, работающего на частоте 1,7 ГГц. Новым при этом является использование в схеме трехслойной ...