Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення фізики і астрономії
→
Физическая инженерия поверхности
→
Физическая инженерия поверхности, 2012 (том 10)
→
Физическая инженерия поверхности, 2012, № 2
→
Перегляд Физическая инженерия поверхности, 2012, № 2 за датою випуску

Перегляд Физическая инженерия поверхности, 2012, № 2 за датою випуску

Результати 1-18 з 18

Правила оформления рукописей

Автор відсутній (Физическая инженерия поверхности, 2012)
Тематические направления

Автор відсутній (Физическая инженерия поверхности, 2012)
Выходные данные

Автор відсутній (Физическая инженерия поверхности, 2012)
Силицидные покрытия на молибдене: получение, структура, свойства

Литовченко, С.В.; Береснев, В.М.; Дробышевская, А.А.; Турбин, П.В. (Физическая инженерия поверхности, 2012)

В обзоре изложено современное состояние исследований структуры и свойств силицидных покрытий на молибдене. Приводятся характеристики способов формирования силицидных покрытий и физических свойств системы кремний-молибден. ...
Титульная страница и содержание

Автор відсутній (Физическая инженерия поверхности, 2012)
Влияние плазменной обработки и ионной имплантации на свойства и структурно-фазовые изменения в титановых сплавах

Братушка, С.Н.; Cоколов, С.В. (Физическая инженерия поверхности, 2012)

Представлен обзор результатов по исследованию наиболее перспективных методов упрочнения титановых сплавов и их влияния на свойства покрытий. Установлены общие закономерности влияния изменений морфологии поверхности, ...
Особенности морфологии поверхностей покрытий, наносимых из фильтрованной вакуумно-дуговой катодной плазмы на ферромагнитные подложки

Васильев, В.В.; Стрельницкий, В.Е. (Физическая инженерия поверхности, 2012)

Проведены исследования морфологии поверхности TiN и TiAlN покрытий, нанесенных из фильтрованных потоков вакуумно-дуговой катодной плазмы на ферромагнитные подложки из инструментальной быстрорежущей стали и твердого сплава ...
Способ диагностики состояния поверхности вакуумной камеры торсатрона Ураган-2М

Глазунов, Г.П.; Пашнев, В.К. (Физическая инженерия поверхности, 2012)

Предложен метод оперативной оценки степени загрязненности стенки вакуумной камеры установки Ураган-2М основанный на процессе десорбции газов в вакууме c поверхности образца нержавеющей стали 12Х18Н10Т при его нагреве ...
Низькорозмірні структури на поверхні фосфіду індію

Сичікова, Я.О. (Физическая инженерия поверхности, 2012)

В даній роботі продемонстровано можливість отримання надграток фосфіду індію, оксидних кристалітів на поверхні монокристалічного фосфіду індію, нанорозмірних структур In/InP по типу квантових точок. Дослідженняморфології ...
Поляритонная люминесценция в кристаллах типа CdTe c учетом затухания экситонов

Ахмадалиев, Б.Ж.; Полвонов Б.З.; Юлдашев, Н.Х. (Физическая инженерия поверхности, 2012)

На основе микроскопической теории поляритонной люминесценции (ПЛ) выполнен анализ известных экспериментальных спектров низкотемпературной фотолюминесценции (НТФЛ) кристаллов CdTe для экситонного резонанса A n-1. С помощью ...
Моделирование интенсивности излучения классического гармонического осциллятора в поле случайной силы

Выжол, Ю.А.; Козлова, Л.Г.; Муленко, И.А.; Хомкин, А.Л. (Физическая инженерия поверхности, 2012)

В рамках модели классического линейного гармонического осциллятора рассчитана спектральная интенсивность излучения высоковозбужденного (ридберговского) атома, испытывающего упругие столкновения с нейтральными атома с учетом ...
Спектри катодолюмінесценції термічно модифікованого ТіО₂

Морушко1, О.В.; Будзуляк, І.М.; Сегін, М.Я.; Остафійчук, Б.К.; Ільницький, Р.В.; Яблонь, Л.С.; Кисляк, О.Р. (Физическая инженерия поверхности, 2012)

Представлені результати досліджень катодолюмінесценції (КЛ) термічно модифікованого у вакуумі ТіО₂. Показано, що спектри КЛ для TiO₂, отримані при температурі 295 K, складаються тільки з однієї смуги випромінювання в ...
Аналитическое представление сечений ионизации К-оболочек лантаноидов ускоренными протонами

Левенец, В.В.; Омельник, А.П.; Щур, А.А. (Физическая инженерия поверхности, 2012)

Определены параметры универсальной подгоночной функции для полученных в ННЦ ХФТИ экспериментальных значений сечений ионизации К-оболочки элементов с 57 ≤ Z ≤ 71 ускоренными протонами с энергиями 1 – 3 МэВ. Проведено ...
Функциональные характеристики полевого транзистора с управляющим р-n-переходом при различных режимах включения

Абдулхаев, О.А.; Гиясова, Ф.А.; Ёдгорова, Д.М.; Каманов, Б.М.; Каримов, А.В. (Физическая инженерия поверхности, 2012)

Проведены исследования функциональных характеристик полевого транзистора с управляющим р-n-переходом при различных режимах и схемах включения. Экспериментально установлено, что максимальные значения токов стока при соединении ...
Структурные исследования пленок оксида цинка и нитрида алюминия, полученных методами CVD и магнетронного распыления

Погребняк, А.Д.; Мухаммед, А.К.М.; Иващенко, М.Н.; Опанасюк, Н.Н.; Суджанская, И.В. (Физическая инженерия поверхности, 2012)

Исследованы структурные свойства и морфология поверхности пленок оксида цинка и нитрида алюминия. Установлено, что пленки формируются высокотекстурированными с хорошей адгезией к подложке. В результате рентгеноструктурных ...
Фотоэлектрические преобразователи на основе пористого арсенида галлия

Кирилаш, А.И.; Симченко, С.В.; Кидалов, В.В. (Физическая инженерия поверхности, 2012)

Исследовано применение пористых слоев арсенида галлия в качестве антиотражающего покрытия для солнечных элементов. С помощью пористых слоев удалось снизить поверхностное отражение, расширить диапазон спектральной ...
Температурная зависимость ширины запрещенной зоны Si и связь с тепловым уширением плотности состояний

Гулямов, Г.; Шарибаев, Н.Ю. (Физическая инженерия поверхности, 2012)

Исследовано влияние температурного уширения энергетических состояний на температурную зависимость ширины запрещенной зоны полупроводника. Моделированием процесса теплового уширения, численным анализом установлено, что ...
Фототранзистор составной на полевых транзисторах

Каримов, А.В.; Ёдгорова, Д.М.; Абдулхаев, О.А.; Каманов, Б.М.; Гиясова, Ф.А. (Физическая инженерия поверхности, 2012)

Экспериментально установлено, что в составном полевом транзисторе, где сток первого транзистора соединен со стоком второго транзистора, а исток присоединен к затвору с последовательно соединенным резистором, при освещении ...

Результати 1-18 з 18

Пошук

Розширений пошук

Перегляд

Вся бібліотека
Колекція

Перегляд Физическая инженерия поверхности, 2012, № 2 за датою випуску

Репозиторій DSpace/Manakin

Перегляд Физическая инженерия поверхности, 2012, № 2 за датою випуску

Пошук

Перегляд

Вся бібліотека

Колекція

Мій обліковий запис