Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Создание Т-образного затвора в малошумящих полевых СВЧ-транзисторах

Репозиторій DSpace/Manakin

Показати простий запис статті

dc.contributor.author Босый, В.И.
dc.contributor.author Коржинский, Ф.И.
dc.contributor.author Семашко, Е.М.
dc.contributor.author Середа, И.В.
dc.contributor.author Середа, Л.Д.
dc.contributor.author Ткаченко, В.В.
dc.date.accessioned 2014-01-18T20:32:38Z
dc.date.available 2014-01-18T20:32:38Z
dc.date.issued 2006
dc.identifier.citation Создание Т-образного затвора в малошумящих полевых СВЧ-транзисторах / В.И. Босый, Ф.И. Коржинский, Е.М. Семашко, И.В. Середа, Л.Д. Середа, В.В. Ткаченко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 5. — С. 18-20. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. uk_UA
dc.identifier.issn 2225-5818
dc.identifier.uri http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/53252
dc.description.abstract Получены экспериментальные образцы транзисторов с Т-образными затворами высотой 1,1 мкм, длиной нижней части 0,15 мкм и верхней части - 0,8-1,0 мкм. uk_UA
dc.description.sponsorship Статья подготовлена в рамках украинской Государственной программы развития техники и технологий сверхвысоких частот на 2005-2009 годы. uk_UA
dc.language.iso ru uk_UA
dc.publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України uk_UA
dc.relation.ispartof Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject Техника и технологии СВЧ uk_UA
dc.title Создание Т-образного затвора в малошумящих полевых СВЧ-транзисторах uk_UA
dc.title.alternative Створення Т-образного затвора у малошумлячих польових НВЧ-транзисторах uk_UA
dc.title.alternative The creation of T-shaped gate for low noise field effect UHF transistors uk_UA
dc.type Article uk_UA
dc.status published earlier uk_UA


Файли у цій статті

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Показати простий запис статті

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис