Показати простий запис статті
dc.contributor.author |
Босый, В.И. |
|
dc.contributor.author |
Коржинский, Ф.И. |
|
dc.contributor.author |
Семашко, Е.М. |
|
dc.contributor.author |
Середа, И.В. |
|
dc.contributor.author |
Середа, Л.Д. |
|
dc.contributor.author |
Ткаченко, В.В. |
|
dc.date.accessioned |
2014-01-18T20:32:38Z |
|
dc.date.available |
2014-01-18T20:32:38Z |
|
dc.date.issued |
2006 |
|
dc.identifier.citation |
Создание Т-образного затвора в малошумящих полевых СВЧ-транзисторах / В.И. Босый, Ф.И. Коржинский, Е.М. Семашко, И.В. Середа, Л.Д. Середа, В.В. Ткаченко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 5. — С. 18-20. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
uk_UA |
dc.identifier.issn |
2225-5818 |
|
dc.identifier.uri |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/53252 |
|
dc.description.abstract |
Получены экспериментальные образцы транзисторов с Т-образными затворами высотой 1,1 мкм, длиной нижней части 0,15 мкм и верхней части - 0,8-1,0 мкм. |
uk_UA |
dc.description.sponsorship |
Статья подготовлена в рамках украинской Государственной программы развития техники и технологий сверхвысоких частот на 2005-2009 годы. |
uk_UA |
dc.language.iso |
ru |
uk_UA |
dc.publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
uk_UA |
dc.relation.ispartof |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|
dc.subject |
Техника и технологии СВЧ |
uk_UA |
dc.title |
Создание Т-образного затвора в малошумящих полевых СВЧ-транзисторах |
uk_UA |
dc.title.alternative |
Створення Т-образного затвора у малошумлячих польових НВЧ-транзисторах |
uk_UA |
dc.title.alternative |
The creation of T-shaped gate for low noise field effect UHF transistors |
uk_UA |
dc.type |
Article |
uk_UA |
dc.status |
published earlier |
uk_UA |
Файли у цій статті
Ця стаття з'являється у наступних колекціях
Показати простий запис статті