Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Создание Т-образного затвора в малошумящих полевых СВЧ-транзисторах
Репозиторій DSpace/Manakin
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Создание Т-образного затвора в малошумящих полевых СВЧ-транзисторах
Інші назви:
Створення Т-образного затвора у малошумлячих польових НВЧ-транзисторах
The creation of T-shaped gate for low noise field effect UHF transistors
The creation of T-shaped gate for low noise field effect UHF transistors
Тема:
Техника и технологии СВЧ
Посилання:
Создание Т-образного затвора в малошумящих полевых СВЧ-транзисторах / В.И. Босый, Ф.И. Коржинский, Е.М. Семашко, И.В. Середа, Л.Д. Середа, В.В. Ткаченко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 5. — С. 18-20. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.
Підтримка:
Статья подготовлена в рамках украинской Государственной программы развития техники и технологий сверхвысоких частот на 2005-2009 годы.
Дата:
2006
Переглядів:
845
Завантажень:
1461
Анотація:
Получены экспериментальные образцы транзисторов с Т-образными затворами высотой 1,1 мкм, длиной нижней части 0,15 мкм и верхней части - 0,8-1,0 мкм.
