Кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод

dc.contributor.author	Добровольский, Ю.Г.
dc.date.accessioned	2014-01-14T22:50:20Z
dc.date.available	2014-01-14T22:50:20Z
dc.date.issued	2006
dc.identifier.citation	Кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод / Ю.Г. Добровольский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 4. — С. 39-41. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52969
dc.description.abstract	Предложенная конструкция фотодиода, снабженного термоэлектрическим модулем Пельтье, может быть использована при разработке фотодиодов, предназначенных для работы в условиях повышенных температур.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Функциональная микро- и наноэлектроника	uk_UA
dc.title	Кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод	uk_UA
dc.title.alternative	Кремнієвий термостатований p-i-n-фотодіод	uk_UA
dc.title.alternative	Silicic thermally stabilized p-i-n-photodiode	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA