Формирование информационного рельефа в некоторых неметаллических материалах

Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення інформатики
→
Реєстрація, зберігання і обробка даних
→
Реєстрація, зберігання і обробка даних, 2006 (том 8)
→
Реєстрація, зберігання і обробка даних, 2006, № 1
→
Переглянути статтю

Формирование информационного рельефа в некоторых неметаллических материалах

Косско, И.А. ; Крючин, А.А. ; Кравец, В.Г. ; Мохнюк, А.А. ; Оберемок, А.С.

Інші назви: Формування інформаційного рельєфу в деяких неметалічних матеріалах
Formation of Information Relief in Certain Nonmetal Materials

Тема: Фізичні основи, принципи та методи реєстрації даних

УДК: 004.85

URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/50823

Посилання: Формирование информационного рельефа в некоторых неметаллических материалах / И.А. Косско, А.А. Крючин, В.Г. Кравец, А.А. Мохнюк, А.С. Оберемок // Реєстрація, зберігання і оброб. даних. — 2006. — Т. 8, № 1. — С. 3-8. — Бібліогр.: 7 назв. — pос.

Підтримка: Авторы благодарят сотрудников ИПМ НАН Украины Н.Ф. Гадзыру и Л.А. Шипилову за предоставленные образцы керамики.

Дата: 2006

Завантажень: 507

Формирование информационного рельефа в некоторых неметаллических материалах

Анотація:

Исследована возможность формирования информационного рельефа в некоторых неметаллических материалах, полученных методом реакционного спекания и горячего прессования (SiC, SiC+В₄С и Si₃N₄, Si₃N₄+В₄С, AlN), а также в монокристаллическом кремнии. Для получения микрорельефа использован метод плазмохимического травления.

Досліджено можливість формування інформаційного рельєфу в деяких неметалічних матеріалах, отриманих методом реакційного спікання та гарячого пресування (SiC, SiC+В₄С і Si₃N₄, Si₃N₄+В₄С, AlN), а також у монокристалічному кремнії. Для отримання мікрорельєфу використано метод плазмохімічного травлення.

An opportunity of forming the information relief in certain nonmetal materials obtained by a technique of reaction baking and hot pressing (SiC, SiC+В₄С and Si₃N₄, Si₃N₄+В₄С, AlN) as well as in monocrystalline silicon is investigated. For obtaining a microrelief the plasmochemical etching technique is used.

Показати повний запис статті