Особливостi струмових нестабiльностей фосфiдо-галiєвих свiтлодiодiв, опромiнених нейтронами

Домашня сторінка
→
Загальнонаукова періодика
→
Доповіді Національної академії наук України
→
Доповіді НАН України, 2008
→
Доповіді НАН України, 2008, № 03
→
Переглянути статтю

dc.contributor.author	Конорева, О.В.
dc.contributor.author	Ластовецький, В.Ф.
dc.contributor.author	Ластовецький, В.Ф.
dc.contributor.author	Опилат, В.Я.
dc.contributor.author	Гришин, Ю. Г.
dc.contributor.author	Петренко, I.В.
dc.contributor.author	Пiнковська, М.Б.
dc.contributor.author	Тартачник, В.П.
dc.date.accessioned	2009-07-16T08:24:01Z
dc.date.available	2009-07-16T08:24:01Z
dc.date.issued	2008
dc.identifier.citation	Особливостi струмових нестабiльностей фосфiдо-галiєвих свiтлодiодiв, опромiнених нейтронами / О.В. Конорева, В.Ф. Ластовецький, П. Г. Литовченко, В.Я. Опилат, Ю. Г. Гришин, I.В. Петренко, М.Б. Пiнковська, В.П. Тартачник // Доп. НАН України. — 2008. — № 3. — С. 71-76. — Бібліогр.: 9 назв. — укp.	en_US
dc.identifier.issn	1025-6415
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/4125
dc.description.abstract	GaP LEDs with atypical current characteristics are studied by optical and electrical methods. The thin structure of an S-shaped NDR region which appears in the current-voltage characteristics at low temperatures (100–77 K) after irradiation has become more expressive and possesses the higher oscillation amplitude. The high destructive influence of fast neutrons on the emitting recombination is caused by two factors: the electrical fields of radiation defects and the capture of charged carriers by their levels.	en_US
dc.language.iso	uk	en_US
dc.publisher	Видавничий дім "Академперіодика" НАН України	en_US
dc.subject	Фізика	en_US
dc.title	Особливостi струмових нестабiльностей фосфiдо-галiєвих свiтлодiодiв, опромiнених нейтронами	en_US
dc.type	Article	en_US
dc.status	published earlier	en_US
dc.identifier.udc	538.935