Деградаційні та відновні процеси у зворотньозміщених фосфідо-галієвих діодах, спричинені швидкими нейтронами реактора

Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення ядерної фізики та енергетики
→
Вопросы атомной науки и техники
→
Bопросы атомной науки и техники, 2010
→
Вопросы атомной науки и техники, 2010, № 1
→
Переглянути статтю

dc.contributor.author	Друзенко, Н.В.
dc.contributor.author	Куц, В.І.
dc.contributor.author	Мосолаб, О.В.
dc.contributor.author	Ушата, Л.В.
dc.contributor.author	Гришин, Ю.Г.
dc.contributor.author	Тартачник, В.П.
dc.contributor.author	Чирко, Л.І.
dc.contributor.author	Опилат, В.Я.
dc.contributor.author	Смирнов, С.Б.
dc.contributor.author	Ластовецький, В.Ф.
dc.contributor.author	Литовченко, П.Г.
dc.date.accessioned	2011-01-31T10:01:17Z
dc.date.available	2011-01-31T10:01:17Z
dc.date.issued	2010
dc.identifier.citation	Деградаційні та відновні процеси у зворотньозміщених фосфідо-галієвих діодах, спричинені швидкими нейтронами реактора / Н.В. Друзенко, В.І. Куц, О.В. Мосолаб, Л.В. Ушата, Ю.Г. Гришин, В.П. Тартачник, Л.І. Чирко, В.Я. Опилат, С.Б. Смирнов, В.Ф. Ластовецький, П.Г. Литовченко // Вопросы атомной науки и техники. — 2010. — № 1. — С. 112-116. — Бібліогр.: 8 назв. — укр.	uk_UA
dc.identifier.issn	1562-6016
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/15664
dc.description.abstract	Вивчались пробійні процеси у фосфідо-галієвих світлодіодах. Проведені оцінки величини коефіцієнта ударної іонізації у вихідних зразках. Показано, що опромінення нейтронами спричиняє збільшення зворотнього струму, обумовленого існуванням потенціального бар’єра. Значна кількість мікроплазм свідчить про суттєву неоднорідність досліджуваних p-n-переходів.	uk_UA
dc.description.abstract	Изучены пробойные процессы в фосфидо-галлиевых светодиодах. Проведены оценки величины коэффициента ударной ионизации в исходных образцах. Показано, что облучение нейтронами влечет за собой увеличение обратного тока, обусловленного существованием потенциального барьера. Значительное количество микроплазм свидетельствует о существенной неоднородности исследуемых p-n-переходов.	uk_UA
dc.description.abstract	Breakdown processes in phosphide-gallium light-emitting have been studied were studied. The coefficient of collision ionization in initial samples has been estimated. It was shown that neutron irradiation results in increase of the reverse current caused by existence of potential barrier. The significant amount of microplasmas is the manifestation of essential inhomogeneity of p-n junctions studied.	uk_UA
dc.language.iso	uk	uk_UA
dc.publisher	Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України	uk_UA
dc.subject	Физика радиационных и ионно-плазменных технологий	uk_UA
dc.title	Деградаційні та відновні процеси у зворотньозміщених фосфідо-галієвих діодах, спричинені швидкими нейтронами реактора	uk_UA
dc.title.alternative	Деградационные и восстановительные процессы в обратносмещенных фосфидо-галлиевых диодах, вызванные быстрыми нейтронами реактора	uk_UA
dc.title.alternative	Degradation and recovery processes in reverse-biased phosphidegallium diodes induced by reactor fast neutrons	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA
dc.identifier.udc	621.315.592