Объёмные локальные одночастичные состояния квазичастиц в квазинульмерных системах

Abstract

Приведен обзор результатов теоретических и экспериментальных исследовани объемных локальных состояний квазичастиц (электрона и дырки), возникающих в объеме полупроводниковых сферических квантовых точек, в условиях сильного поляризационного взаимодействия носителей заряда с поверхностью квантовой точки. Показано, что в спектре объемных локальных состояний имеется область низколежащих состояний, обладающих спектром осцилляторного типа. Установлено, что объемные локальные состояния в квантовых точках являются достаточно стабильными (со временами жизни порядка 10⁻¹ с).

Наведено огляд результатів теоретичних та експериментальних досліджень об’ємних льокальних станів квазичастинок (електрона й дірки), які виникли в об’ємі напівпровідникових сферичних квантових точок, в умовах сильного поляризаційного взаємочину носіїв заряду з поверхнею квантової точки. Показано, що у спектрі об’ємних льокальних станів є область низьколежачих станів, які характеризуються спектром осциляторного типу. Встановлено, що об’ємні льокальні стани у квантових точках є достатньо стабільними (із часом життя, що має порядок 10⁻¹ с).

The results of theoretical and experimental investigations of bulk local states of quasi-particles (an electron and a hole) appearing in the bulk of semiconductor spherical quantum dots under the condition of strong polarization interaction between the charge carriers and the quantum-dot surface are reviewed. As shown, there are low-lying oscillator-type states in the spectrum of bulk local states. As revealed, the bulk local states in quantum dots are stable (with a life cycle of ≈ 10⁻¹ s).