Анотація:
Предназначен для использования в технологическом процессе при производстве изделий электронной техники для контроля дефектов структур интегральных микросхем на фотошаблонах и полупроводниковых пластинах. Может применяться для исследования фотошаблонов и полупроводниковых пластин в светлом и темном поле отраженного света при разработке технологических процессов, в лабораторной практике и для массовых контрольных операций внешнего вида изделий при производстве ИС.