Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Spectral dependence of the photomagnetic effect in porous silicon
Репозиторій DSpace/Manakin
- Домашня сторінка
- →
- Фізико-технічні та математичні науки
- →
- Відділення фізики і астрономії
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2001, том 4
- →
- Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2001, № 3
- →
- Переглянути статтю
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Spectral dependence of the photomagnetic effect in porous silicon
Інший ID:
PACS: 72.40.
Посилання:
Spectral dependence of the photomagnetic effect in porous silicon / O.V. Vakulenko, S.V. Kondratenko, B.K. Serdega // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2001. — Т. 4, № 3. — С. 159-162. — Бібліогр.: 16 назв. — англ.
Дата:
2001
Переглядів:
757
Завантажень:
319
Анотація:
Measurements of the photomagnetic effect spectra of PS/c-Si were carried out. Obtained results were explained by influence of the spatial charge region of the heterojunction between wide-band porous silicon and c-Si substrate of the n-type. The form of the PME spectrum in the long-wave region indicates to the drift of the nonequilibrium charge carriers in the c-Si to the PS/c-Si boundary, that is presence of the increased spatial charge layer in c-Si. Relatively high value of the PME in the strong absorption region of the porous silicon indicates to the presence of the PME component caused by porous silicon material.
