Mid-IR impurity absorption in As₂S₃ chalcogenide glasses doped with transition metals

Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення фізики і астрономії
→
Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
→
Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2012, том 15
→
Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2012, № 2
→
Переглянути статтю

dc.contributor.author	Paiuk, A.P.
dc.contributor.author	Stronski, A.V.
dc.contributor.author	Vuichyk, N.V.
dc.contributor.author	Gubanova, A.A.
dc.contributor.author	Krys’kov, Ts.A.
dc.contributor.author	Oleksenko, P.F.
dc.date.accessioned	2017-05-29T14:57:04Z
dc.date.available	2017-05-29T14:57:04Z
dc.date.issued	2012
dc.identifier.citation	Mid-IR impurity absorption in As₂S₃ chalcogenide glasses doped with transition metals / A.P. Paiuk, A.V. Stronski, N.V. Vuichyk, A.A. Gubanova, Ts.A. Krys’kov, P.F. Oleksenko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2012. — Т. 15, № 2. — С. 152-156. — Бібліогр.: 22 назв. — англ.	uk_UA
dc.identifier.issn	1560-8034
dc.identifier.other	PACS 78.40.Ha
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118287
dc.description.abstract	Room temperature IR impurity absorption spectra in 1 4000 7000 cm ( 4.1 - 25um ) region for chalcogenide glasses of As₂S₃ doped with chromium (0.5, 1 wt.%) and manganese (0.1, 1, 2, 5 wt.%) have been studied. The effects of chromium and manganese impurities on the transmission spectra are discussed.	uk_UA
dc.language.iso	en	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
dc.title	Mid-IR impurity absorption in As₂S₃ chalcogenide glasses doped with transition metals	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA