Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення фізики і астрономії
→
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
→
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2014
→
Перегляд Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2014 за назвою

Перегляд Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2014 за назвою

Результати 1-15 з 15

Акустична емісія напівпровідників та діодних структур (огляд)

Власенко, О.І.; Киселюк, М.П.; Велещук, В.П.; Власенко, З.К.; Ляшенко, І.О.; Ляшенко, О.В. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2014)

Узагальнено матеріал з дослідження явища акустичної емісії у напівпровідниках та діелектриках при дії зовнішніх полів різної фізичної природи. Особливу увагу приділено вивченню процесів дефектоутворення та акустичної емісії ...
Анализ результатов аппроксимации спектральных характеристик поверхностного плазмонного резонанса аналитическими функциями

Стеценко, М.А. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2014)

В наноразмерной пленке золота проанализированы спектры поляризационной разности коэффициентов внутреннего отражения поляризованного света R²s - R²p при фиксированных углах падения тестирующего луча, превышающих критический ...
Вплив підкладки та поверхні макропори на фотопровідність у двомірних структурах макропористого кремнію

Онищенко, В.Ф. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2014)

Розглянуто експериментальне та чисельне дослідження впливу монокристалічної кремнієвої підкладки та характеристик поверхні макропори на фотопровідність двовимірних структур макропористого кремнію. Показано, що вплив ...
Вплив термовідпалів при 450 і 650 °С на тензоопір і параметр анізотропії рухливості монокристалів кремнію

Баранський, П.І.; Гайдар, Г.П. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2014)

При 77,4 К на зразках n-Si (P), орієнтованих уздовж кристалографічного напрямку [100], досліджено зміни питомого опору ρx/ρ₀ в залежності від одновісного механічного стиску, що змінювався у межах 0 ≤ Х ≤ 0,8 ГПа. Зразки ...
Запись голограммных дифракционных решеток на карбазолсодержащих тонких полимерных пленках

Акимова, Е.А.; Стронский, А.В.; Паюк, А.П.; Мешалкин, А.Ю.; Бояринов, Ю.Ю.; Присакарь, А.М.; Робу, С.В.; Олексенко, П.Ф.; Литвин, О.С. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2014)

Работа посвящена получению карбазолсодержащих тонких полимерных пленок методом нанесения из растворов и использованию их в качестве регистрирующих сред для записи голограммных дифракционных решеток. В качестве исследуемого ...
Использование гибридных органно-неорганических фотолюминофоров для повышения индекса цветопередачи белых светодиодов

Хмиль, Д.Н.; Камуз, А.М.; Олексенко, П.Ф.; Камуз, В.Г.; Алексенко, Н.Г.; Камуз, О.А.; Хабусєва, С.У.; Паценкер, Л.Д. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2014)

Проанализированы существующие к настоящему времени технологии повышения индекса цветопередачи белых светодиодов. Показано, что только при использовании очень высокотехнологических и очень дорогостоящих установок удается ...
Методы определения высоты барьера шоттки из вольт-амперных характеристик (обзор)

Кудрик, Я.Я.; Шинкаренко, В.В.; Слепокуров, В.С.; Бигун, Р.И.; Кудрик, Р.Я. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2014)

Приведен обзор методов определения высоты барьера Шоттки из результатов измерений вольт-амперных характеристик (ВАХ) применительно к широкозонным полупроводникам. Проведена апробация этих методов на примере диодов Шоттки ...
Модуляционная поляриметрия поверхностного плазмонного резонанса как средство детектирования диэлектрических свойств газов

Матяш, И.Е. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2014)

Исследовано изменение диэлектрических свойств газов, находящихся в контакте с наноразмерной пленкой металла, в зависимости от внешнего воздействия. Измерения проведены с использованием метода модуляционной поляриметрии, ...
Оптимизация эксплуатационных характеристик преобразователей на основе поверхностного плазмонного резонанса

Костюкевич, Е.В.; Костюкевич, С.А. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2014)

Проведен анализ технологических условий изготовления преобразователей на основе ППР: тип подложки для пленки золота (кварц/стекло), наличие подслоя (Cr), улучшающего адгезию пленки золота к подложке, а также низкотемпературный ...
Отрицательная фотопроводимость и поверхностно-барьерный фотодиодный эффект – два взаимосвязанных поверхностных фотоэффекта в макропористом кремнии

Карась, Н.И. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2014)

Обнаружено одновременное проявление двух поверхностных фотоэффектов в макропористом кремнии (МПК): отрицательной фотопроводимости (ФП) и поверхностно-барьерного фотодиодного (ПБФД) эффекта. Отрицательная ФП МПК проявлялась ...
Титульные страницы и содержание

Автор відсутній (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2014)
Фотостимульовані реверсивні перетворення у плівках Ge-Se як основа резистивного процесу

Бабійчук, І.В.; Данько, В.А.; Індутний, І.З.; Луканюк, М.В.; Минько, В.І.; Шепелявий, П.Є. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2014)

Досліджено закономірності резистивного процесу на відпалених шарах стекол розрізу Ge-Se та вивчено можливості створення за його допомогою складних рельєфно-фазових структур чи літографічних масок. Показано, що даний ...
Фотоэлектрические преобразователи ультрафиолетового излучения с варизонными слоями на основе твердых растворов CdxZn1–xS

Бобренко, Ю.Н.; Павелец, С.Ю.; Семикина, Т.В.; Шереметова, Г.И.; Ярошенко, Н.В. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2014)

Получены и исследованы поверхностно-барьерные фотопреобразователи на основе твердых растворов Cd₀.₄Zn₀.₆S. Сенсоры, в отличие от известных УФ сенсоров на основе ZnS, чувствительны во всей УФ области спектра, что позволяет ...
Химическое травление поверхности кристаллов ZnSe растворами H₂O₂–HBr–уксусная кислота

Станецкая, А.С.; Томашик, В.Н.; Стратийчук, И.Б.; Томашик, З.Ф.; Галкин, С.Н. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2014)

Разработаны бромвыделяющие травители H₂O₂–HBr–уксусная кислота для формирования полированной поверхности кристаллов нелегированного и легированного ZnSe. Изучены зависимости скорости растворения кристаллов от состава ...
Чарівні подорожі у блакитне світло

Бєляєв, О.Є.; Кочелап, В.О. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2014)

Fascinated Journeys into Blue Light. Саме так назвав свою Нобелівську лекцію один з лауреатів Нобелівської премії 2014 року з фізики професор Ісаму Акасакі. Як відомо, в жовтні 2014 року Нобелівський комітет повідомив, що ...

Результати 1-15 з 15

Пошук

Розширений пошук

Перегляд

Вся бібліотека
Розділ

Перегляд Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2014 за назвою

Репозиторій DSpace/Manakin

Перегляд Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2014 за назвою

Пошук

Перегляд

Вся бібліотека

Розділ

Мій обліковий запис