With the help of mathematical modeling of the thermal broadening of the energy levels studied the
temperature dependence of the band gap semiconductors. In view of the temperature dependence of
the effective mass of the density of states obtained graphs temperature dependence of the band gap.
Investigated the effect of changes in the effective mass of charge carriers on the temperature dependence
of the band gap semiconductors. The theoretical results of mathematical modeling are
compared with experimental data for Si. The theoretical results satisfactorily explain the experimental
results for Si.
С помощью математического моделирования процесса термического уширения энергетических
уровней исследована температурная зависимость ширинызапрещенной зоныполупроводников.
С учетом температурной зависимости эффективной массы плотности состояний получены
графики температурной зависимости ширины запрещенной зоны. Исследовано влияние
изменения эффективной массы носителей зарядов на температурную зависимость ширины
запрещенной зоны в полупроводниках. Теоретические результаты математического моделирования сравниваются с экспериментальными данными для Si. Результаты теории удовлетворительно объясняют экспериментальные результаты для Si.
За допомогою математичного моделювання процесу термічного розширення енергетичних
рівнів досліджена температурна залежність ширини забороненої зони напівпровідників. З
урахуванням температурної залежності ефективної маси густини станів отримані графіки
температурноїзалежності ширини забороненоїзони. Досліджено вплив змінювання ефективної
маси носіїв зарядів на температурну залежність ширини забороненоїзони в напівпровідниках.
Теоретичні результати математичного моделювання порівнюються з експериментальними
даними для Si. Результати теорії задовільно пояснюють експериментальні результати для Si.
