Проведены исследования функциональных характеристик полевого транзистора с управляющим р-n-переходом при различных режимах и схемах включения. Экспериментально установлено, что максимальные значения токов стока при соединении двух транзисторов от интенсивности излучения изменяются по квадратичному закону, а фоточувствительность становится больше по сравнению с дискретной структурой. При этом максимальные значения
токов стока соответствующие световым токам дискретных транзисторов от прямосмещающего напряжения изменяются по квадратичному закону и являются продолжением темновой
передаточной характеристики, что делает возможным их использование в качестве фотоприемников в электронных схемах. В последовательно соединенных полевых транзисторах
модулируемый переход, как и в двухбарьерных структурах, управляет параметрами второго
перехода за счет перераспределения напряжения приложенного от внешнего источника питания.
Проведено дослідження функціональних характеристик польового транзистора з керуючим
р-n-переходом при різних режимах і схемах включення. Експериментально встановлено, що
максимальні значення струмів стоку при сполуці двох транзисторів від інтенсивності випромінювання змінюються за квадратичним законом, а фоточутливість стає більшою в порівнянні, с дискретною структурою. При цьому максимальнізначення струмів стоку відповідним
світловим струмам дискретних транзисторів від прямозміщеної напруги змінюються за квадратичним законом і є продовженням темнової передатної характеристики, що уможливлює їхнє використання як фотоприймачів у електронних схемах. У послідовно з’єднаних польових
транзисторах моделюючий перехід, як і у двохбар’єрних структурах, управляє параметрами
другого переходу за рахунок перерозподілу напруги прикладеного від зовнішнього джерела
живлення.
The functional characteristics of junction field-effect transistor were researched at different bias
polarities and schemes of inclusion. It was established experimentally that the maximum value of
drain current when two transistors were connected varies in a quadratic law with the radiation intensity,
and photosensitivity becomes more than in a discrete structure. In this case the maximum values of
drain current corresponding to the light currents of discrete transistors by forward voltage vary in a
quadratic law and they are a continuation of the transfer characteristics in dark, which makes possible
their use as photodetectors in electronic circuits. In the series-connected field-effect transistors
modulated junction, as in the two-barrier structures, controls the parameters of the second junction
due to redistribution of the voltage applied from an external power source.
