Influence of helium ions beams with energies 0.12 MeV on sputtering process on surface of tungsten

Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення ядерної фізики та енергетики
→
Вопросы атомной науки и техники
→
Problems of Atomic Science and Technology, 2023
→
Problems of Atomic Science and Technology, 2023, № 3
→
Переглянути статтю

Influence of helium ions beams with energies 0.12 MeV on sputtering process on surface of tungsten

Manuilenko, O.V. ; Prokhorenko, E.M. ; Pavlii, K.V. ; Zajtsev, B.V. ; Dubniuk, S.N. ; Lytvynenko, V.V. ; Kasatkin, Yu.A. ; Prokhorenko, T.G.

Інші назви: Вплив пучків іонів гелію з енергіями 0,12 МеВ на процес розпилення на поверхні вольфраму

Тема: Applications and technologies

Інший ID: PACS: 52.40.HF, 29.27Ac, 621.715:539.376, 87.55N
DOI: https://doi.org/10.46813/2023-145-158

URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/196160

Посилання: Influence of helium ions beams with energies 0.12 MeV on sputtering process on surface of tungsten / O.V. Manuilenko, E.M. Prokhorenko, K.V. Pavlii, B.V. Zajtsev, S.N. Dubniuk, V.V. Lytvynenko, Yu.A. Kasatkin, T.G. Prokhorenko // Problems of Atomic Science and Technology. — 2023. — № 3. — С. 158-163. — Бібліогр.: 26 назв. — англ.

Дата: 2023

Завантажень: 80

Influence of helium ions beams with energies 0.12 MeV on sputtering process on surface of tungsten

Анотація:

The samples of tungsten with a purity of 99.5 and 99.7% were irradiated with helium ion beams (EHe⁺ = 0.12 MeV). The total sputtering coefficients for the sample depth up to 60 Å from the surface of sample were obtained. It was found that on the surface of tungsten, the number of pits (the flecking effect) significantly exceeds the number of bubbles (the blistering effect). The damage profiles of the surface of tungsten as a result of irradiation with helium ions are calculated. The areas of maximal display of effects of damage are determined.

Проведено опромінення зразків вольфраму з чистотою 99,5 і 99,7% пучками іонів гелію (EHe⁺ = 0,12 МeВ). Отримано сумарні коефіцієнти розпилення за глибиною зразка до 60 Å від поверхні зразка. Знайдено, що на поверхні зразків вольфраму кількість ямок (ефект флекінгу) істотно перевищує кількість бульбашок (ефект блістерингу). Пораховані профілі пошкодження поверхні вольфраму в результаті опромінення іонами гелію. Визначено зони максимального прояву руйнівних ефектів.

Показати повний запис статті