Decrease of exciton radiation intensity in compensated gallium arsenide single crystals under influence of low electric field

Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення фізико-технічних проблем матеріалознавства
→
Functional Materials
→
Functional Materials, 2010, том 17
→
Functional Materials, 2010, № 1
→
Переглянути статтю

Decrease of exciton radiation intensity in compensated gallium arsenide single crystals under influence of low electric field

Shtan'ko, A.D. ; Litvinova, M.B. ; V.V., Kurak

Інші назви: Зниження інтенсивності екситонного випромінювання під впливом слабкого електричного поля у монокристалах компенсованого арсеніду гелію

Тема: Characterization and properties

URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/134161

Посилання: Decrease of exciton radiation intensity in compensated gallium arsenide single crystals under influence of low electric field / A.D. Shtan'ko, M.B. Litvinova, V.V. Kurak // Functional Materials. — 2010. — Т. 17, № 1. — С. 46-51. — Бібліогр.: 21 назв. — англ.

Дата: 2010

Завантажень: 262