Decrease of exciton radiation intensity in compensated gallium arsenide single crystals under influence of low electric field

dc.contributor.author	Shtan'ko, A.D.
dc.contributor.author	Litvinova, M.B.
dc.contributor.author	V.V., Kurak
dc.date.accessioned	2018-06-12T16:28:39Z
dc.date.available	2018-06-12T16:28:39Z
dc.date.issued	2010
dc.identifier.citation	Decrease of exciton radiation intensity in compensated gallium arsenide single crystals under influence of low electric field / A.D. Shtan'ko, M.B. Litvinova, V.V. Kurak // Functional Materials. — 2010. — Т. 17, № 1. — С. 46-51. — Бібліогр.: 21 назв. — англ.	uk_UA
dc.identifier.issn	1027-5495
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/134161
dc.language.iso	en	uk_UA
dc.publisher	НТК «Інститут монокристалів» НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Functional Materials
dc.subject	Characterization and properties	uk_UA
dc.title	Decrease of exciton radiation intensity in compensated gallium arsenide single crystals under influence of low electric field	uk_UA
dc.title.alternative	Зниження інтенсивності екситонного випромінювання під впливом слабкого електричного поля у монокристалах компенсованого арсеніду гелію	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA