Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Capture coefficients of free excitons by shallow acceptors and donors in gallium arsenide
Репозиторій DSpace/Manakin
- Домашня сторінка
- →
- Фізико-технічні та математичні науки
- →
- Відділення фізики і астрономії
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2003, том 6
- →
- Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2003, № 3
- →
- Переглянути статтю
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Capture coefficients of free excitons by shallow acceptors and donors in gallium arsenide
Інший ID:
PACS: 71.55. E; 78.55. E
Посилання:
Capture coefficients of free excitons by shallow acceptors and donors in gallium arsenide / K.D. Glinchuk, N.M. Litovchenko, O.N. Strilchuk // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2003. — Т. 6, № 3. — С. 274-277. — Бібліогр.: 10 назв. — англ.
Дата:
2003
Переглядів:
692
Завантажень:
352
Анотація:
An analysis of the 4.2 K exciton luminescence spectra of semi-insulating GaAs crystals with different concentrations of shallow acceptors (С) and donors (Si) is given. As a result, the 4.2 K capture coefficients of free excitons by shallow neutral acceptors [bA₀X = (4 ± 2) 10⁻⁸ cm³/s] and donors [bD₀X= (1.5 ± 0.8) 10⁻⁷ cm³/s] are found and also an estimate of the capture coefficient of free excitons by ionized shallow donors was made .
