Перегляд за автором "Сукач, А.В."

Сортувати за: Порядок: Результатів:

  • InAs фотодіоди (огляд) 
    Сукач, А.В.; Тетьоркін, В.В.; Матіюк, І.М. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2015)
    Проаналізовано сучасний стан з розробок інфрачервоних InAs фотодіодів та отримано значення їх основних технічних параметрів і характеристик. Розраховано концентраційну залежність часу життя нерівноважних носіїв заряду в ...
  • InSb фотодіоди (Огляд. Частина I) 
    Сукач, А.В.; Тетьоркін, В.В.; Матіюк, І.М.; Ткачук, А.І. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2016)
    Розглянуто сучасний стан розробок InSb фотодіодів методом іонної імплантації. Проаналізовано особливості формування розупорядкованого шару у залежності від маси іона, його енергії та дози опромінення. Зроблено висновки ...
  • InSb фотодіоди (Огляд. Частина II) 
    Сукач, А.В.; Тетьоркін, В.В.; Матіюк, І.М.; Ткачук, А.І. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2016)
    Проаналізовано найбільш важливі технологічні операції виготовлення дифузійних InSb фотодіодів – хіміко-механічне та хіміко-динамічне полірування поверхні підкладок, пасивацію активної області фотодіодів та способи її ...
  • Властивості подвійних гетеропереходів p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, отриманих за різних технологічних режимів 
    Круковський, С.І.; Сукач, А.В.; Тетьоркін, В.В.; Мрихін, І.О.; Михащук, Ю.С. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2011)
    Методом рідинно-фазної епітаксії вирощено подвійні гетеропереходи p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP і з’ясовано взаємозв’язок між технологічними режимами вирощування та їх фізичними властивостями. Показано, що використання цинку як ...
  • Вплив поверхневої провідності на електричні властивості мезаструктурних InAs p—n-переходів 
    Сукач, А.В.; Тетьоркін, В.В.; Мазарчук, І.О.; Кролевець, М.М.; Лук’яненко, В.І.; Луцишин, І.Г. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2010)
    Досліджено вплив поверхневої провідності на електричні властивості плавних мезаструктурних InAs p—n-переходів, виготовлених дифузійним методом. З’ясовано, що внаслідок використання протравлювача 2 % Br₂ + HBr для виготовлення ...
  • Електричні властивості структур In/p-PbTe 
    Маланич, Г.П.; Сукач, А.В.; Тетьоркін, В.В.; Ворощенко, А.Т.; Кравецький, М.Ю.; Павлович, І.І. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2012)
    Досліджено механізми формування бар’єра у контактах In/p-PbTe. Встановлено, що у разі короткотермінової низькотемпературної обробки контактів формується мілкий p–n-перехід унаслідок дифузії індію в приповерхневий шар, який ...
  • Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів a-SiCN/c-Si 
    Сукач, А.В.; Тетьоркін, В.В.; Іващенко, В.І.; Порада, О.К.; Козак, А.О.; Ткачук, А.І.; Ворощенко, А.Т. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2013)
    Встановлено домінуючі механізми перенесення заряду в гетеропереходах a-SiCN/c-Si в інтервалі температур 196–353 К, виготовлених плазмохімічним способом при порівняно низьких (Т < 300 °С ) температурах осадження аморфних ...
  • Зворотні ВАХ та механізми протікання струму в InAs-фотодіодах 
    Сукач, А.В.; Тетьоркін, В.В.; Ворощенко, А.Т.; Кравецький, М.Ю.; Лук’яненко, В.І.; Луцишин, І.Г. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2011)
    Досліджено механізми протікання струму у разі зворотних напруг зміщення в InAs p–n-переходах, виготовлених дифузією кадмію в підкладки n-типу провідності. Показано, що в інтервалі температур 162–291 К і за напруг зворотного ...
  • Механізми перенесення заряду в полікристалічних сандвіч-структурах p⁺-PbTe/p-CdTe/p⁺-PbTe 
    Сукач, А.В.; Тетьоркін, В.В.; Ткачук, А.І.; Ворощенко, А.Т.; Кравецький, М.Ю.; Луцишин, І.Г. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2013)
    Методом гарячої стінки виготовлено полікристалічні сандвічструктури p⁺-PbTe/p-CdTe/p⁺-PbTе на сіталових підкладках. Показано, що при використанні сильно легованого PbTе на гетеромежі p⁺-PbTe/p-CdTe не утворюється потенціальний ...
  • Свойства двойных гетеропереходов p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии 
    Вакив, Н.М.; Круковский, С.И.; Сукач, А.В.; Тетёркин, В.В.; Мрыхин, И.А.; Михащук, Ю.С.; Круковский, Р.С. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
    Получены эпитаксиальные гетероструктуры р⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, в которых металлургическая граница совпадает с электрической. Это достигается выращиванием дополнительного буферного слоя n-InP и уменьшением времени выращивания ...
  • Фотоелектричні властивості подвійних гетеропереходів p+-InP/n-InGaAsP/n-InP 
    Круковський, C.I.; Сукач, А.В.; Тетьоркін, В.В.; Мрихін, І.О.; Михащук, Ю.С. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2012)
    Розглянуто вплив технологічних режимів вирощування подвійних гетеропереходів p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP методом РФЕ на їх фотоелектричні властивост і. Показано, що вирощування додаткового буферного шару n-InP на шарі n-InGaAsP, ...