Проаналізовано сучасний стан з розробок інфрачервоних InAs фотодіодів та отримано значення їх основних технічних параметрів і характеристик. Розраховано концентраційну залежність часу життя нерівноважних носіїв заряду в матеріалі InAs n- та р-типу провідності, а також проведено порівняння з експериментальними даними. Проаналізовано механізми транспорту носіїв заряду в InAs фотодіодах та з’ясовано природу надлишкових струмів. Показано можливість коректного прогнозування спектральної фоточутливості в охолоджуваних InAs фотодіодах та розглянуто перспективи їх застосування.
The current level of development of infrared InAs photodiodes has been analyzed and the values of their main technical parameters and characteristics have been obtained. The concentration dependence of the nonequilibrium charge carrier lifetime in InAs of n- and p-type conductivity has been calculated and comparison with experimental data has been performed. The charge carrier transport mechanisms in InAs photodiodes have been analyzed and nature of excessive dark current has been clarified. The possibility to forecast correctly the spectral photosensitivity in cooled InAs photodiodes has been shown and the outlook of their application has been considered.
