Исследование зависимости выходных характеристик полевого транзистора от параметров управляющего перехода

Abstract

В работе приведены результаты исследования процессов расширения слоя объемного заряда р-n-перехода затвора полевого транзистора. Прямыми исследованиями закономерности изменения емкости p-n-перехода от напряжения и характеристического параметра установлено, что чем резче и тоньше p-n-переход, тем выше крутизна передаточной характеристики изготовленного на его основе полевого транзистора.

У роботі приведені результати дослідження процесів розширення шару об’ємного заряду р-n-переходу затвору польового транзистора. Прямими дослідженнями закономірності зміни ємності p-n-переходу від напруги і характеристичного параметра установлено, що чим різкіше і тонше p-n-перехід, тим вище крутість передатної характеристики виготовленого на його основі польового транзистора.

In the work the results of research of processes of pn-junction gates space charge layer expansion in the field transistor are given. By direct researches of change of р-n-junction capacity with voltage and characteristic parameter is established, that the more abruptly and the thiner р-n-junction on the higher steepness of the transfer characteristics of the field transistor, made on its base is.