Математическая модель влияния поля индуктора на коэффициент распределения примеси в кремнии

Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення фізико-технічних проблем матеріалознавства
→
Современная электрометаллургия
→
Современная электрометаллургия, 2009
→
Современная электрометаллургия, 2009, № 3
→
Переглянути статтю

Математическая модель влияния поля индуктора на коэффициент распределения примеси в кремнии

Егоров, С.Г. ; Червоный, И.Ф. ; Воляр, Р.Н.

Інші назви: Mathematical model of inductor field effect on coefficient of impurity distribution in silicon

Тема: Вакуумно-индукционная плавка

УДК: 669.187.58

URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/96009

Посилання: Математическая модель влияния поля индуктора на коэффициент распределения примеси в кремнии / С.Г. Егоров, И.Ф. Червоный, Р.Н. Воляр // Современная электрометаллургия. — 2009. — № 3 (96). — С. 36-39. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

Дата: 2009

Завантажень: 404

Математическая модель влияния поля индуктора на коэффициент распределения примеси в кремнии

Анотація:

Исследован процесс выращивания монокристаллов кремния способом индукционной бестигельной зонной плавки с применением подогревающего индуктора. При помощи математического моделирования установлены параметры электромагнитного поля подогревающего индуктора и определены условия, при которых электромагнитное поле подогревающего индуктора оказывает влияние на условия выращивания монокристаллов.

Process of growing single crystals of silicon by the method of induction crucible-free zonal melting with use of preheating inductor was investigated. Using the mathematical modeling, the parameters of electromagnetic field of phreheating inductor were established and conditions, at which the electromagnetic field of preheating inductor has an influence on the conditions of single crystal growing, were defined.

Показати повний запис статті