Осаждение тонкопленочных покрытий с использованием источника кластерного пучка

Abstract

Представлены экспериментальные результаты исследований тонких пленок, полученных путем осаждения кластерного пучка на подложки из кремния. Для синтеза пленок использовался источник кластерного пучка с лазерным испарением. Синтезировались металл-содержащие кластеры в потоках инертных и реак- тивных газов. Рост тонких пленок Ag и Zn на поверхности подложки из Si(100) при различных условиях изучался с использованием электронной микроскопии и обратного резерфордовского рассеяния. Проведено сопоставление размеров зерна синтезированных пленок, измеренных разными методами.

Приведені експериментальні результати досліджень тонких плівок, одержаних методом осадження кластерного пучка на підкладинки з кремнію. Для синтезу плівок було використано джерело кластерного пучка з лазерним випарюванням. Синтезувались кластери на основі металів в потоках інертних та реактивних газів. Ріст плівок Ag та Zn на поверхні підкладинки з Si (100) при різних умовах їх синтезу вивчався за допомогою електронної мікроскопії та резерфордівського зворотного розсіювання. Проведено порівняння розмірів зерна синтезованих плівок, виміряних різними методами.

The experimental results of researches of thin films obtained by a deposition of a cluster beam onto silicon substrates are submitted in the work. For synthesis of the films the source of a cluster beam with laser vaporization was used. Metallized clusters in the flows of inert and reactive gases were synthesized. The growth of thin films Ag and Zn on the surface of Si (100) substrate under different conditions, was studied with usage of a electron-microscope and Rutherford backscattering. The comparison of crystal grain sizes of synthesized films measured by various methods was carried out.