Показати простий запис статті
dc.contributor.author |
Сизов, Ф.Ф. |
|
dc.contributor.author |
Гришин, Ю.Г. |
|
dc.contributor.author |
Круковський, С.І. |
|
dc.contributor.author |
Опилат, В.Я. |
|
dc.contributor.author |
Петренко, І.В. |
|
dc.contributor.author |
Савкіна, Р.К. |
|
dc.contributor.author |
Смірнов, О.Б. |
|
dc.contributor.author |
Тартачник, В.П. |
|
dc.date.accessioned |
2010-06-04T15:04:11Z |
|
dc.date.available |
2010-06-04T15:04:11Z |
|
dc.date.issued |
2009 |
|
dc.identifier.citation |
Вплив нейтронного опромінення на характеристики світлодіодів AlxGa1–xAs / Ф.Ф. Сизов, Ю. Г. Гришин, С. I. Круковський, В.Я. Опилат, I.В. Петренко, Р.К. Савкiна, О.Б. Смiрнов, В.П. Тартачник // Доп. НАН України. — 2009. — № 5. — С. 87-93. — Бібліогр.: 15 назв. — укр. |
uk_UA |
dc.identifier.issn |
1025-6415 |
|
dc.identifier.uri |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/8515 |
|
dc.description.abstract |
Дослiджується вплив швидких нейтронiв на зразки свiтловипромiнюючих дiодних структур n^+-n-p-AlxGa1−xAs/GaAs (x = 0,27 ÷ 0,31). Вольт-ампернi характеристики вимiрювалися в iнтервалi температур 77 К – 300 К до та пiсля опромiнення нейтронами з флюенсом (10^14– 5 · 10^16) см^−2. Встановлено, що вiдбувається радiацiйно стимульоване зростання прямого струму дiодiв внаслiдок зменшення концентрацiї основних носiїв заряду та часу життя неосновних носiїв заряду. Причиною змiни параметрiв є радiацiйне введення пасток. |
uk_UA |
dc.description.abstract |
AlxGa1−xAs/GaAs-based (x = 0.27÷0.31) light-emitting diodes were exposed to fast neutrons with fluences ranging from 10^14 to 5·10^16 n/cm², and their current-voltage characteristics were measured from 300 K to 80 K. Experimental results have revealed an increase of the positive current through the irradiated diode when it is forward-biased that is connected with a decrease of the majoritycarrier concentration and the minority-carrier lifetime. Change of the electric transport is probably due to the creation of traps after neutron irradiation. |
uk_UA |
dc.language.iso |
uk |
uk_UA |
dc.publisher |
Видавничий дім "Академперіодика" НАН України |
uk_UA |
dc.subject |
Фізика |
uk_UA |
dc.title |
Вплив нейтронного опромінення на характеристики світлодіодів AlxGa1–xAs |
uk_UA |
dc.title.alternative |
Effect of neutron radiation on characteristics of AlxGa1−xAs light-emitting diodes |
uk_UA |
dc.type |
Article |
uk_UA |
dc.status |
published earlier |
uk_UA |
dc.identifier.udc |
538.935 |
|
Файли у цій статті
Ця стаття з'являється у наступних колекціях
Показати простий запис статті