Ионно-плазменная пассивация поверхности кристаллов CdZnTe

Abstract

Описан предложенный авторами метод ионно-плазменной пассивации боковой поверхности полуизолирующего полупроводникового кристалла, такого как CdZnTe. Показано, что пассивация может успешно осуществляться при нанесении покрытия не только из TiO2, но и из Al2O3 или ZrO2. Исследованы вольт-амперные характеристики (ВАХ) детекторных сенсоров, изготовленных из CdZnTe с пассивированной боковой поверхностью. Проанализированы температурные зависимости ВАХ. Показано, что даже при T ~ 0ºC пассивированная поверхность не влияет на работу детектора из CdZnTe.

Описаний запропонований авторами метод іонно-плазмової пасивації бокової поверхні напівізолюючого напівпровідникового кристалу, такого як CdZnTe. Показано, що пасивація може успішно здійснюватися при нанесенні покриття не тільки з TiO2, але і з Al2O3 або ZrO2. Досліджені вольт-амперні характеристики (ВАХ) детекторних сенсорів, виготовлених з CdZnTe із пасивованою боковою поверхнею. Проаналізовані температурні залежності ВАХ. Показано, що навіть при T ~ 0ºC пасивована поверхня не впливає на роботу детектора з CdZnTe.

A method of ion plasma passivation, proposed earlier by the authors for lateral surface coating of semiinsulating semiconductor crystal, like CdZnTe, is presented in some detail. It is now shown that the passivation can be successfully realized not only with TiO2 coating but also with coatings made from Al2O3 and ZrO2. The voltage-current characteristics of CdZnTe detector sensors with passivated lateral surface are investigated. The temperature dependence of these characteristics is analyzed. It is shown, that even at T ≈ 0ºC the passivated surface does not influence the CdZnTe detector performance.