Structure and physical characteristics of ohmic contacts based on Fe and Ge films

Abstract

Предложено применение метода послойной конденсации с последующим отжигом от 300 до 900 К для формирования омических контактов на основе пленок Fe и Ge. Проведены исследования микроструктуры и фазового состава контактных систем Fe/Ge, для которых получены симметричные линейные вольт- амперные характеристики и следующие рабочие параметры: сопротивление на квадрат площади 0,3 Ом/м² и термический коэффициент сопротивления 6∙10⁻⁴ К⁻¹. .

Запропоновано застосування методу пошарової конденсації з наступним відпалюванням від 300 до 900 К для формування омічних контактів на основі плівок Fe і Ge. Проведенo дослідження мікроструктури і фазового складу контактних систем Fe/Ge, для яких отримано симетричні лінійні вольт-амперні характеристики та наступні робочі параметри: опір на квадрат площі 0,3 Ом/м² і термічний коефіцієнт опору 6∙10⁻⁴ К⁻¹.

Предложено применение метода послойной конденсации с последующим отжигом от 300 до 900 К для формирования омических контактов на основе пленок Fe и Ge. Проведены исследования микроструктуры и фазового состава контактных систем Fe/Ge, для которых получены симметричные линейные вольт- амперные характеристики и следующие рабочие параметры: сопротивление на квадрат площади 0,3 Ом/м² и термический коэффициент сопротивления 6∙10⁻⁴ К⁻¹.