Показати простий запис статті
dc.contributor.author |
Набиев, Г.А. |
|
dc.date.accessioned |
2010-04-19T14:45:15Z |
|
dc.date.available |
2010-04-19T14:45:15Z |
|
dc.date.issued |
2008 |
|
dc.identifier.citation |
Определение параметров уровней прилипания, ответственных за фотоэлектретное состояние в пленках теллурида кадмия / Г.А. Набиев // Физическая инженерия поверхности. — 2008. — Т. 6, № 1-2. — С. 89-91. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
uk_UA |
dc.identifier.issn |
1999-8074 |
|
dc.identifier.uri |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/7864 |
|
dc.description.abstract |
В статье показана возможность определения параметров уровней прилипания, ответственных за фотоэлектретное состояние с помощью релаксационных кривых в пленках теллурида кадмия, легированных серебром. |
uk_UA |
dc.description.abstract |
У статті показана можливість визначення параметрів рівнів прилипання, відповідальних за фотоелектретний стан за допомогою релаксаційних кривих у плівках телуріда кадмію, легованих сріблом. |
uk_UA |
dc.description.abstract |
In the paper, an ability of determination of capture levels parameters, which are responsible for photoelectret state using relaxation curves in silver-doped cadmium telluride films been studied. |
uk_UA |
dc.language.iso |
ru |
uk_UA |
dc.publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
uk_UA |
dc.title |
Определение параметров уровней прилипания, ответственных за фотоэлектретное состояние в пленках теллурида кадмия |
uk_UA |
dc.title.alternative |
Визначення параметрів рівнів прилипання, відповідальних за фотоелектретний стан у плівках телуріда кадмію |
uk_UA |
dc.title.alternative |
Determination of capture levels parameters responsible for photoelectret state in cadmium telluride films |
uk_UA |
dc.type |
Article |
uk_UA |
dc.status |
published earlier |
uk_UA |
dc.identifier.udc |
621.315.592 |
|
Файли у цій статті
Ця стаття з'являється у наступних колекціях
Показати простий запис статті