Механизм начального этапа роста пленок Cr, полученных при помощи магнетронного распыления на постоянном токе

Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення ядерної фізики та енергетики
→
Вопросы атомной науки и техники
→
Bопросы атомной науки и техники, 2000
→
Вопросы атомной науки и техники, 2000, № 4
→
Переглянути статтю

dc.contributor.author	Перекрестов, В.И.
dc.contributor.author	Кравченко, С.Н.
dc.date.accessioned	2015-03-12T20:12:11Z
dc.date.available	2015-03-12T20:12:11Z
dc.date.issued	2000
dc.identifier.citation	Механизм начального этапа роста пленок Cr, полученных при помощи магнетронного распыления на постоянном токе / В.И. Перекрестов, С.Н. Кравченко // Вопросы атомной науки и техники. — 2000. — № 4. — С. 173-175. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	1562-6016
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/78215
dc.description.abstract	Методом микродифракции электронов и просвечивающей электронной микроскопии был исследован механизм образования пленок Cr, осажденных на сколы NaCl при помощи магнетронного распыления на постоянном токе. При повышении энергии конденсируемых атомов, а также при снижении скорости наращивания пленки и повышении температуры осаждения усиливается тенденция к зарождению сверхтонких пленок в виде метастабильной аморфной фазы (АФ). Переход из аморфного в кристаллическое состояние происходит в процессе наращивания пленки и при весомом вкладе диффузионных потоков в направлении АФ→кристалл.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Вопросы атомной науки и техники
dc.subject	Физика радиационных и ионно-плазменных технологий	uk_UA
dc.title	Механизм начального этапа роста пленок Cr, полученных при помощи магнетронного распыления на постоянном токе	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA
dc.identifier.udc	533.9