О резонансной частоте диодов Ганна на основе варизонных полупроводников AlGaAs, GaPAs и GaSbAs

Abstract

Изучено исчезновение дрейфующего домена в приборах на основе варизонных полупроводников. Показано, что длина области дрейфа домена и частота генерируемых колебаний тока в n⁺-n-n⁺-приборах на основе варизонных полупроводников зависит от приложенного к прибору напряжения. Найдены условия существования этого эффекта. Показано, что применение варизонных полупроводников позволяет увеличить ширину рабочего диапазона частот диодов Ганна. Проведен обзор варизонных полупроводников А₃В₅ с подобным эффектом.

The disappearance of a drifting domain in devices based on graded-gap semiconductors is studied. It is shown that the length of a region of drift of a the domain and the frequency of generated current oscillation in the n⁺-n-n⁺ devices based on graded-gap semiconductors depends on the voltage applied to the device. The conditions of existence of this effect are found. It is shown that the use of graded-gap semiconductors can increase the width of the width of the working frequency of Gunn diodes. The review of graded-gap semiconductors А₃В₅ having a similar effect is given.

Вивчено зникнення домену, що дрейфує в приладах на основі варизонних напівпровідників. Показано, що довжина області дрейфу домена і частота генерованих коливань струму вn⁺-n-n⁺-приладах на основі варизонних напівпровідників залежить від прикладеної до приладу напруги. Знайдено вимоги існування цього ефекту. Показано, що застосування варизонних напівпровідників дозволяє збільшити ширину робочого діапазону частот діодів Ганна. Проведено огляд варизонних напівпровідників А₃В₅ з подібним ефектом.