Показати простий запис статті
dc.contributor.author |
Севрюкова, В.А. |
|
dc.contributor.author |
Зубарев, Е.Н. |
|
dc.contributor.author |
Кондратенко, В.В. |
|
dc.contributor.author |
Першин, Ю.П. |
|
dc.contributor.author |
Цебенко, В.О. |
|
dc.date.accessioned |
2015-02-09T20:18:35Z |
|
dc.date.available |
2015-02-09T20:18:35Z |
|
dc.date.issued |
2011 |
|
dc.identifier.citation |
Эволюция структуры пленок Мо, полученных методом магнетронного распылении на a-Si / В.А. Севрюкова, Е.Н. Зубарев, В.В. Кондратенко, Ю.П. Першин, В.О. Цебенко // Физическая инженерия поверхности. — 2011. — Т. 9, № 2. — С. 102–114. — Бібліогр.: 23 назв. — рос. |
uk_UA |
dc.identifier.issn |
1999-8074 |
|
dc.identifier.uri |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/76350 |
|
dc.description.abstract |
Методами электронной микроскопии и рентгеновской дифрактометрии изучена структура слоев Мо, выращенных методом магнетронного распыления на аморфном кремнии в зависимости от номинальной толщины слоев молиодена. При номинальной толщине 1.5 ≤ t < 1.9 нм слой молибдена состоит из кластеров, которые следует рассматривать как переходное состояние из полностью разупорядоченного (аморфного) состояния в кристаллическое. Переход из кластерного состояния в кристаллическое происходит в интервале толщин 1.9 ≤ t < 2.5 нм растущего слоя Мо. Образующиеся кристаллы Мо имеют неравноосную форму с размером 3 ÷ 4 х 15 ÷ 30 нм и состоят из блоков. Короткая ось неравноосных кристаллов параллельна направлению [110] . По мере увеличения толщины слоя Мо кристаллы приобретают все более равноосную форму за счет процесса рекристаллизации. |
uk_UA |
dc.description.abstract |
Методами електронної мікроскопії і рентгенівської дифрактометрії вивчено структуру шарів Мо, які вирощувалися методом магнетронного розпилювання на аморфному кремнію в залежності від номінальної товщини шарів молібдену. При номінальній товщині 1.5 ≤ t < 1.9 нм шар молібдену складається з кластерів, які слід розглядати як перехідний стан від повністю розупорядкованого (аморфного) в кристалічний. Перехід із кластерного стану в кристалічний відбувається інтервалі товщини 1.9 ≤ t < 2.5 нм шару молібдену, який наростає. Кристали Мо, які утворюються, мають нерівновісну форму з розмірами 3 ÷ 4 х 15 ÷ 30 нм і складаються з блоків. Коротка вісь нерівновісних кристалів паралельна напрямку [110]. При збільшені товщини шару Мо кристали набувають все більш рівно вісну форму завдяки процесу кристалізації. |
uk_UA |
dc.description.abstract |
The structure of molybdenum layers deposited by direct current magnetron sputtering onto the amorphous silicon (a-Si) layers as function of nominal layer thickness was studied by methods of transmission electron microscopy X-ray diffractometry.
Molybdenum layers with nominal thickness 1.9 ≤ t < 2.5 nm consist of clusters which should be considered as a transient state between stron-Mo gly disordered (amorphous) state and crystal one. A transition from clusters to polycrystals takes pla¬ce within the thickness range of 1.9 ≤ t < 2.5 nm. Resulting Mo crystallites have an inequiaxial form with dimensions of 3 ÷ 4 х 15 ÷ 30 nm2 and consist of blocks. The lateral axis of inequiaxial crystallites is parallel to jj loj direction. As the metal layer thickness increases Mo-crystallites take the more regular form at the expense of a recrystallization. |
uk_UA |
dc.language.iso |
ru |
uk_UA |
dc.publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
uk_UA |
dc.relation.ispartof |
Физическая инженерия поверхности |
|
dc.title |
Эволюция структуры пленок Мо, полученных методом магнетронного распылении на a-Si |
uk_UA |
dc.type |
Article |
uk_UA |
dc.status |
published earlier |
uk_UA |
dc.identifier.udc |
539.25:539.26 |
|
Файли у цій статті
Ця стаття з'являється у наступних колекціях
Показати простий запис статті