Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Long-term relaxation of photoconductivity in cadmium doped Gd₂S₃ films
Репозиторій DSpace/Manakin
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
| dc.contributor.author | Jabua, Z.U. | |
| dc.contributor.author | Gigineishvili, A.V. | |
| dc.contributor.author | Tabatadze, I.G. | |
| dc.contributor.author | Kupreishvili, I.L. | |
| dc.date.accessioned | 2015-02-08T07:57:59Z | |
| dc.date.available | 2015-02-08T07:57:59Z | |
| dc.date.issued | 2011 | |
| dc.identifier.citation | Long-term relaxation of photoconductivity in cadmium doped Gd₂S₃ films / Z.U. Jabua, A.V. Gigineishvili, I.G. Tabatadze, I.L. Kupreishvili // Физическая инженерия поверхности. — 2011. — Т. 9, № 1. — С. 44–47. — Бібліогр.: 10 назв. — англ. | uk_UA |
| dc.identifier.issn | 1999-8074 | |
| dc.identifier.other | PACS: 7350 Pz.7361 Le.7840 Fy | |
| dc.identifier.uri | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/76139 | |
| dc.description.abstract | In first time it is experimentally investigated some regularities of long-term relaxation of photoconductivity of gadolinium one-and-halp sulfides thin films doped by cadmium atoms. Was calculated maximum of recombination barrier and found the location of trapping levels in the gap. | uk_UA |
| dc.description.abstract | Вперше експериментально досліджені деякі закономірності довгострокової релаксації фотопровідності плівок полуторного сульфіду гадолінія, які леговані атомами кадмію. Розраховано максимальне значення рекомбінаційного бар’єру та встановлено розташування рівнів прилипання в забороненій зоні. | uk_UA |
| dc.description.abstract | Впервые экспериментально исследованы некоторые закономерности долговременной релаксации фотопроводимости плёнок полуторного сульфида гадолиния, легированных атомами кадмия. Рассчитано максимальное значение рекомбинационного барьера и установлено расположение уровней прилипания в запрещённой зоне. | uk_UA |
| dc.language.iso | en | uk_UA |
| dc.publisher | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України | uk_UA |
| dc.relation.ispartof | Физическая инженерия поверхности | |
| dc.title | Long-term relaxation of photoconductivity in cadmium doped Gd₂S₃ films | uk_UA |
| dc.type | Article | uk_UA |
| dc.status | published earlier | uk_UA |
