Голчастi кристали напівпровідників A²B⁶ i Si

Домашня сторінка
→
Видання регіональних наукових центрів
→
Західний науковий центр
→
Праці наукового товариства ім. Шевченка
→
Праці наукового товариства ім. Шевченка, 2011
→
Праці наукового товариства ім. Шевченка, 2011, том 8
→
Переглянути статтю

dc.contributor.author	Витрихівський, М.
dc.date.accessioned	2015-01-27T20:15:14Z
dc.date.available	2015-01-27T20:15:14Z
dc.date.issued	2011
dc.identifier.citation	Голчастi кристали напівпровідників A²B⁶ i Si / М. Витрихівський // Праці Наукового товариства ім. Шевченка. — Л., 2011. — Т. 8: Фізичний збірник. — С. 305-308. — Бібліогр.: 5 назв. — укр.	uk_UA
dc.identifier.issn	1563-3569
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/75285
dc.description.abstract	The paper is devoted to the technological peculiarities of growing the A²B⁶ needle crystals the solid solutions on its basis as well as silicon crystals originally developed and realized by the author. Physical properties of these materials are explored in dependence on composition and form of growth. These crystals may be used in quantum electronics.	uk_UA
dc.language.iso	uk	uk_UA
dc.publisher	Західний науковий центр НАН України і МОН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Праці наукового товариства ім. Шевченка
dc.subject	Міжнародна школа-конференція "Актуальні проблеми фізики напівпровідників"	uk_UA
dc.title	Голчастi кристали напівпровідників A²B⁶ i Si	uk_UA
dc.title.alternative	Тhe needle crystals of Si and A²B⁶ semiconductors	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA