Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення ядерної фізики та енергетики
→
Вопросы атомной науки и техники
→
Bопросы атомной науки и техники, 2000
→
Вопросы атомной науки и техники, 2000, № 4
→
Перегляд Вопросы атомной науки и техники, 2000, № 4 за темою

Перегляд Вопросы атомной науки и техники, 2000, № 4 за темою "Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах"

Результати 1-11 з 11

Instabilities in binary compounds under irradiation

Mykhaylovskyy, V.V.; Sugakov, V.I. (Вопросы атомной науки и техники, 2000)

A simulation of radiation-induced instability in binary semiconductor, such as GaAs, was fulfilled. The instability is connected with antisite defects accumulated. It was shown that the number of antisite defects in crystal ...
Атермический механизм радиационного роста урана

Жуков, А.И.; Танатаров, Л.В.; Резниченко, Э.А. (Вопросы атомной науки и техники, 2000)

Предложена простая модель, описывающая радиационный рост урана. В основу модели положено предположение о зарождении вакансионных и междоузельных петель в каскадах атомных столкновений, описан их рост и взаимное влияние. ...
Влияние комплексообразования на междоузельный механизм спинодального распада бинарных сплавов под облучением

Селищев, П.А. (Вопросы атомной науки и техники, 2000)

Проанализирована роль взаимодействующих междоузельных атомов и их малоподвижных комплексов в спинодальном распаде облучаемых бинарных а-b сплавов, компоненты которых имеют существенно различные атомные массы, например, ...
Обобщенная диаграмма ползучести открытой физической системы "металл (сплав) + нагрузка + облучение"

Тарасов, В.А. (Вопросы атомной науки и техники, 2000)

На основе анализа работ по радиационной ползучести разработана обобщенная диаграмма ползучести открытой физической системы "металл (сплав) + нагрузка + облучение". Обобщенная диаграмма ползучести облучаемых металлов и ...
Отжиг радиационных дефектов в сплавах Н36, легированных фосфором и титаном

Данилов, С.Е.; Арбузов, В.Л.; Дружков, А.П.; Шальнов, К.В. (Вопросы атомной науки и техники, 2000)

Методами остаточного электросопротивления и аннигиляции позитронов исследован отжиг радиационных дефектов в облученных 5 МэВ электронами сплавах Fe-36.5%Ni (Fe-Ni), Fe-36.5%Ni-0,1%P (Fe-Ni-P) и Fe-36.5%Ni-2,5%Ti (Fe-Ni-Ti). ...
Поведение гелия и особенности развития микроструктуры в модельных сплавах никеля и ванадия

Калин, Б.А.; Чернов, И.И.; Калашников, А.Н.; Бинюкова, С.Ю. (Вопросы атомной науки и техники, 2000)

Методами просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ) и термодесорбционной спектрометрии (ТДС) проведено сравнительное исследование поведения ионно-внедренного гелия и формирования газовой пузырьковой микроструктуры в ...
Распыление углеродных материалов ионами водорода, дейтерия и гелия в припороговой области энергий

Суворов, А.Л.; Гусева, М.И.; Коршунов, С.Н.; Залужный, А.Г.; Лазарев, Н.Е. (Вопросы атомной науки и техники, 2000)

Основанная на автоионно-микроскопических анализах оригинальная методика определения коэффициентов распыления электропроводящих материалов при бомбардировке легкими ионами в припороговой области энергий (от 10 до 500 эВ) ...
Роль легирования элементами с разным атомным несоответствием в развитии микроструктуры в никеле при облучении ионами гелия

Чернов, И.И.; Калин, Б.А.; Калашников, А.Н.; Бинюкова, С.Ю. (Вопросы атомной науки и техники, 2000)

Методами просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ) изучено развитие гелиевой пористости в бинарных сплавах никеля с элементами, имеющими разные размерные атомные несоответствия - от отрицательных ("подразмерные" элементы) ...
Снижение порога охрупчивания при нейтронном облучении реакторных сталей в результате закалки из межкритического интервала температур

Гощицкий, Б.Н.; Сагарадзе, В.В.; Косицына, И.И.; Зуев, Ю.Н.; Козлов, А.В.; Филиппов, Ю.И. (Вопросы атомной науки и техники, 2000)

Исследованы структура и механические свойства реакторной стали МАNЕТ-II (10Х11ГНМФ) после различных термических обработок. Показано преимущество закалки из межкритического интервала температур с последующим высоким отпуском, ...
СТМ-анализы поверхностной структуры графита, подвергнутого импульсному облучению осколками деления

Козодаев, М.А.; Макеев, О.Н.; Бабаев, В.П.; Суворов, А.Л.; Хохряков, В.Ф.; Осадчук, Л.А.; Леваков, Б.Г.; Залужный, А.Г. (Вопросы атомной науки и техники, 2000)

Разработана методика облучения конструкционных материалов осколками деления в растворных импульсных ядерных реакторах. С помощью метода сканирующей туннельной микроскопии проведены исследования структуры поверхности ...
Температурная зависимость пороговой энергии смещения атомов углерода в графите

Приходько, К.Е.; Гурович, Б.А. (Вопросы атомной науки и техники, 2000)

Результати 1-11 з 11

Пошук

Розширений пошук

Перегляд

Вся бібліотека
Колекція

Перегляд Вопросы атомной науки и техники, 2000, № 4 за темою "Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах"

Репозиторій DSpace/Manakin

Перегляд Вопросы атомной науки и техники, 2000, № 4 за темою "Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах"

Пошук

Перегляд

Вся бібліотека

Колекція

Мій обліковий запис