Электронный рост нанообъектов Pb на поверхностях Si

Abstract

Выполнены исследования особенностей формирования металлических наноостровков Pb на поверхности кремния методом сканирующей туннельной микроскопии. Показано, что рост наноостровков Pb на поверхности Si происходит в рамках модели Странски—Крастанова; вместе с тем формирование островков сопровождается их расслоением с характерным масштабом 2 нм (7 монослоёв Pb). Обнаруженное явление рассматривается в связи с минимизацией энергии в квантовых ямах, образующихся вследствие эффекта квантовой локализации, и объясняется в рамках модели электронного роста.

Виконано дослідження особливостей формування металевих наноострівців Pb на поверхні кремнію методою сканівної тунельної мікроскопії. Показано, що ріст наноострівців Pb на поверхні Si відбувається в рамках моделю Странскі—Крастанова; разом з тим формування острівців супроводжується їх розшаруванням з характерним масштабом 2 нм (7 моношарів Pb). Виявлене явище розглядається в зв’язку з мінімізацією енергії в квантових ямах, які утворюються внаслідок ефекту квантової локалізації, та пояснюються в рамках моделю електронного росту.

We report on Pb-islands growth on a surface of silicon. Using the scanning tunnelling microscopy, we show that, while in general the growth follows the Stranski—Krastanov scenario, the formation of Pb islands is accompanied by their lamination with a characteristic scale of two nanometers (7 monolayers of Pb). Such an effect manifests the energy minimum in quantum wells due to the quantum confinement, and it can be explained within the scope of the electronic-growth model.